長鑫科技發布第三季度財報後，10月31日下午公布了一份投資者關係活動記錄表，內容為業績說明會的記錄。長鑫科技在業績說明會上回應了多個市場關切的問題。 此前長鑫科技宣佈在4F²垂直溝道DRAM（動態隨機存取存儲器）架構上取得關鍵突破。該架構據稱單位面積晶體管數量可比目前主流的6F²架構更多，且一定程度擺脫了工藝瓶頸。 此次長鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工藝技術平台將基於4F²架構，該...
網頁鏈接長鑫科技發布第三季度財報後，10月31日下午公布了一份投資者關係活動記錄表，內容為業績說明會的記錄。長鑫科技在業績說明會上回應了多個市場關切的問題。 此前長鑫科技宣佈在4F²垂直溝道DRAM（動態隨機存取存儲器）架構上取得關鍵突破。該架構據稱單位面積晶體管數量可比目前主流的6F²架構更多，且一定程度擺脫了工藝瓶頸。 此次長鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工藝技術平台將基於4F²架構，該...
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