10月29日，三星电子在2026年第三季度财报电话会议上表示，公司2027年的高带宽内存（HBM）产能已按照既定目标价格全部售出，并预计2028年DRAM内存供应仍将保持紧张。
财报会议披露，三星第三季度DRAM和NAND闪存出货量均实现个位数百分比增长，平均售价分别上涨20%和近10%。公司预计，第四季度DRAM出货量将增长15%至20%，NAND出货量增长约15%。
在HBM业务方面，三星表示，其HBM4产品第三季度销售额环比增长超过3倍，占HBM业务总营收的60%。此外，三星存储业务已与10家客户签署长期供应协议（LTA），另有10家客户正在就多年期合同进行洽谈，公司计划通过此类协议锁定60%至70%的产出。
与此同时，三星晶圆代工业务计划增加韩国和美国工厂的投资，并考虑扩大晶圆厂及先进封装产能。
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