凤凰网科技讯（编辑/于雷）11月6日，据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的报告，受AI加速器、数据中心需求激增及存储芯片价格上涨推动，2026年第三季度全球DRAM市场营收同比增长369%，接近2000亿美元，创下历史新高。 三星以38%的营收份额位居全球第一，SK海力士则凭借超过40%的环比营收增幅，进一步缩小与三星的差距。

报告显示，三星第三季度DRAM市场份额为38%，继续保持领先。SK海力士的市场份额从第二季度的25%回升至29%，美光以21%位居第三。中国存储芯片厂商长鑫存储的份额则从第二季度的10%降至9%。Counterpoint预计，随着竞争对手在第四季度陆续出货价格更高的HBM4产品，长鑫存储的市场份额可能继续承压。

值得注意的是，本轮DRAM市场爆发主要由价格上涨推动，而非出货量大幅增加。第三季度DRAM位元出货量仅增长约4%，但营收已达到去年同期的近5倍。 DRAM平均销售价格升至每Gb 1.9美元，成为推动行业营收增长的主要因素。

Counterpoint高级分析师Jeongku Choi指出，当前存储市场正处于价格驱动的超级周期。AI已经将存储芯片从普通大宗商品转变为稀缺的高价值资源，客户的竞争重点也从价格谈判转向确保供应。

从产品结构来看，虽然高带宽内存（HBM）营收接近翻倍，但其在DRAM市场中的营收占比反而下降，原因是传统DRAM增长更快。其中，DDR和LPDDR营收分别同比增长500%和接近400%。

Counterpoint认为，智能体AI（Agentic AI）的发展正在推动服务器CPU需求增加，进而拉动传统DRAM消耗。其数据显示，云端AI基础设施中GPU与CPU的配置比例已从4:1收窄至2:1，并有进一步接近1:1的趋势。以英伟达Vera Rubin机架为例，每个CPU插槽对应的DRAM容量较上一代增加近两倍，达到1.5TB。

在HBM市场，Counterpoint研究总监MS Hwang表示，SK海力士此前在HBM3E市场占据优势，但三星HBM4产品获得了客户积极反馈。该机构预计，三星有望在2027年成为HBM市场第一大供应商。

展望后市，Counterpoint预计存储芯片价格在2027年仍将保持强势。由于主要新增晶圆厂预计要到2028年才会投产，加上长期供货协议对价格形成支撑，DRAM供应紧张局面短期内难以明显缓解，主要存储芯片厂商下一季度有望再创盈利纪录。