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达泰莱

3.03
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成交量:91.39万
成交额:276.90万
市值:365.11万
市盈率:-2.89
高:3.26
开:3.04
低:2.98
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东方证券-电子行业动态跟踪:存储需求回暖,NAND Flash和DRAM价格上涨持续-250602

市场资讯
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06-02

巴克莱:韩国科技产品出口前景短期仍然强劲

美港电讯
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06-02

Acm Research, Inc.5月30日成交额为1858.53万美元

市场透视
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05-31

Acm Research, Inc.5月28日成交额为1379.83万美元

市场透视
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05-29

【TrendForce:预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅减缓】根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告,DRAM方面,DDR5价格已出现放缓迹象,预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面,现货价格自2月下旬以来上涨,目前已达到相对高位,购买动能正在降温。

金融界
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05-28

TrendForce:预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅减缓

美港电讯
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05-28

【三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证】三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。此前,三星传针对HBM3E使用的第四代10纳米级DRAM进行结构重整,不过英伟达以速度未达标准为由,未给予供货批准。韩国业界人士指出,若三星2025年无法供应12层HBM3E给英伟达,其2026年的HBM策略将势必要大幅修正,甚至可能放弃该HBM3E产品,转而专注第六代HBM。

金融界
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05-28

三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证

美港电讯
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05-28

Acm Research, Inc.盘中异动 股价大涨5.04%

市场透视
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05-27

三星HBM3E基本通过英伟达单芯片认证 成品认证或延迟到下半年完成

美港电讯
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05-26

国联民生证券-电子行业专题研究:原厂或停产DDR4,DRAM提前涨价-250525

市场资讯
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05-25

【三星电子拟扩建1c DRAM产能】三星电子已制定计划在华城工厂建设1c DRAM(第六代10纳米级)生产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。此前,三星电子在平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线,规划产能为每月3万片。

金融界
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05-23

三星电子拟扩建1c DRAM产能

美港电讯
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05-23

Acm Research, Inc.盘中异动 股价大跌5.06%报23.05美元

市场透视
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05-22

TrendForce:DDR4产品价格涨幅大于DDR5产品价格

美港电讯
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05-21

Acm Research, Inc.盘中异动 早盘股价大跌5.01%

市场透视
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05-19

卖4亿的光刻机,DRAM大厂推迟引进

半导体行业观察
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05-17

慧荣消费级主流PCIe 5.0 DRAM-less SSD主控SM2504XT即将正式亮相

IT之家
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05-16

Acm Research, Inc.盘中异动 早盘急速下挫5.09%

市场透视
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05-15

需求回暖之际 三星电子(SSNLF.US)借势上调DRAM产品价格

智通财经
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05-12