高盛加入“AI瓶颈交易”:MLCC是新存储,已成AI服务器“第三大成本项”

华尔街见闻
May 31

高盛认为,由AI驱动的多层陶瓷电容器(MLCC),将是该行业有史以来规模最大、持续时间最长的一次。

近期,高盛在多份研究报告中指出,多层陶瓷电容器已跃升为AI服务器物料清单中,继GPU和内存之后的第三大成本项。

与此同时,村田制作所(Murata)已于4月1日起,将AI服务器相关的多层陶瓷电容器产品价格上调15%至35%,太阳诱电(Taiyo Yuden)亦宣布于5月起对部分产品线实施提价。

高盛估算,若平均价格上涨5%,将分别带动村田和太阳诱电2027财年营业利润提升约13%和37%。

对市场而言,这意味着多层陶瓷电容器供应链,正在复制此前内存板块的价格上行路径。

多层陶瓷电容器MLCC,从配角到AI服务器"第三大成本项"

以英伟达最新一代Vera Rubin服务器机架为例,VR200机架的MLCC用量约合4,300美元,较GB300机架的约1,500美元大幅提升。

高盛预计,AI服务器的多层陶瓷电容器市场规模将从2025财年起至2030财年增长约4.3倍,年复合增速达约34%,市场规模从约215亿日元扩张至约9,200亿日元。

多层陶瓷电容器本质上是一种超小型、超快速的电荷存储与释放元件。

在AI服务器中,当GPU等加速芯片在微秒级时间内骤然拉升或骤降电力需求时,电源系统的响应速度远远不及,而紧贴芯片旁侧布置的多层陶瓷电容器,正是填补这一时间差的关键。

它同时承担两项职能:平滑电力供应中的瞬时波动,以及过滤可能损坏数字数据的电气噪声。

随着AI芯片算力密度持续攀升,对多层陶瓷电容器的需求正在两个维度上同步扩张。

一方面,GPU功耗的急剧增加要求更高的电容量,电容量与功耗之间存在正相关性。

另一方面,加速器板的物理空间有限,迫使设计向"小尺寸、高电容"的高附加值多层陶瓷电容器迁移。

此外,电源供应单元(PSU)周边亦需大量部署高压大容量多层陶瓷电容器。

产能天花板与价格上行,供需错配已然形成

与内存不同,多层陶瓷电容器行业的产能扩张存在内在约束。

据高盛分析师Allen Chang指出,多层陶瓷电容器生产所需的设备和原材料均以自产为主,扩产速度受限于内部工程资源,行业年产能增速上限仅略高于10%。

这一结构性制约意味着,若AI服务器对多层陶瓷电容器需求的增速,持续远超行业整体扩产能力,供需错配将呈现系统性扩张特征。

价格信号已经印证这一判断。

日本财务省5月28日公布的4月贸易统计数据显示,多层陶瓷电容器平均出口价格环比上涨3%,出口量环比增长7%,出口额环比增长9%。同比来看,上述三项指标分别大幅增长16%、10%和28%。

与此同时,低电容及消费类多层陶瓷电容器的现货及分销商价格,已因囤货和重复下单而上涨20%至40%。

目前,高端多层陶瓷电容器(高电容、高电压)的交货期已超过20周。尽管OEM合同价尚未出现大幅上调,但行业整体定价压力已显著上行。

高盛将2026年同类产品价格变动预期,从此前的约0%上调至最高5%,并认为未来上行空间仍可能进一步扩大。

此外,高镍、高银等原材料价格上涨,正对全品类多层陶瓷电容器的成本端形成压力,进一步支撑价格上行逻辑。

三强主导,技术门槛构筑护城河

在AI服务器所需的多层陶瓷电容器领域,市场准入门槛极高。

高盛指出,目前具备相关技术能力的供应商仅有村田制作所、三星电机(SEMCO)和太阳诱电三家。

三者在GPU/ASIC周边低压高容量MLCC的小型化与高容量化方面持续推进,技术要求日趋严苛,具备完整的受益路径。

日本TDK电子目前尚不具备进入该细分市场的技术,仍在等待与日本化学工业合作推进的材料开发。

但TDK电子在电源回路周边高压大容量MLCC领域接单旺盛,产品技术与汽车(含电动汽车)应用高度重叠,有望带动工厂开工率提升。高盛对TDK电子同样维持买入评级。

中国台湾和大陆的制造商亦开始崭露头角。高盛将国巨(Yageo)风华高科三环集团列为新兴前沿受益标的。

此外,高盛MLCC亚洲股票篮子,涵盖日本、韩国及中国A股的核心产业链标的,横跨纯粹制造商、多元化被动元件生产商及上游材料供应商,近期已开始走强,但相较于其他AI热门主题仍存在明显的滞后补涨空间。

"我们仍处于周期早期"

高盛分析师Daiki Takayama在近期与村田制作所CEO会面后总结认为,村田"仍处于成长阶段的早期"。

Peter Slater则在其5月的报告中指出,随着AI服务器功耗需求持续攀升,对更大电容量的需求将不断上升,多层陶瓷电容器供需有望趋于100%利用率。

值得关注的是,尽管来自AI服务器和汽车应用的需求维持强劲,智能手机和PC等传统下游客户也开始积极寻求长期采购合同,此举源于对多层陶瓷电容器产能被AI服务器大量占用。

高盛指出,此前内存DRAM和NAND的价格剧烈上涨,始于市场聚焦到内存作为AI超级周期瓶颈之时。

如今,同样的逻辑正在多层陶瓷电容器行业上演,但与内存不同,多层陶瓷电容器的价格上行之旅几乎才刚刚开始。

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