有媒体援引知情人士透露的消息报道称，全球最大规模存储芯片制造商——即来自韩国的三星电子(Samsung Electronics)在本月将某些对于全球存储端至关重要存储芯片价格较9月份大幅上调。知情人士透露，此次三星对于某些存储芯片上调的最高幅度达60%，这些存储芯片由于科技巨头们在全球范围大举推进建设AI数据中心带来的指数级需求扩张而出现严重短缺。
部分存储概念周五盘初逆市走高， 截至发稿，SanDisk Corp 涨近4%，美光涨超2%。
据媒体援引知情人士透露的消息报道，32GB级别的DDR5存储芯片模组11月合约报价已从9月的149美元大幅涨至239美元，其他类别的高性能DDR5存储模组价格也显著上涨，涨幅最高60%。此次全球最大规模DRAM与NAND存储芯片制造商三星大幅上调某些存储芯片价格，可谓大举强化存储“超级周期”这一对于全球存储芯片/产品领域而言至关重要的“史无前例牛市叙事”。
在谷歌、微软以及Meta正在主导的建设这类超大规模AI数据中心里，除了通过3D堆叠DRAM所打造的HBM存储系统之外，服务器级别的DDR5也是“刚需级”且必须大规模采购的核心存储资源，两者是互补关系，而不是替代关系。当前支撑天量AI训练/推理算力需求的AI服务器算力集群的DRAM容量通常是传统CPU服务器的4–8倍，很多单机已经超过1TB DRAM，并且明确是向DDR5迁移，主要因为DDR5相比DDR4带宽提升约50%，更适合天量级AI工作负载。
值得注意的是，也正是SK海力士、三星以及美光将绝大多数产能集中于HBM存储系统——这类存储产品需要的产能以及先进工艺制造、封测复杂度相比于DDR系列以及HDD系列等低级别存储设备而言复杂得多，因此三大存储芯片领军者不断将产能迁移，也在很大程度上导致DDR5乃至上一代DDR4，以及HDD与企业级SSD等广泛的存储产品线集体陷入供不应求境地。
全球两大存储巨头——三星电子与SK海力士，以及西部数据和希捷等存储巨头们近期公布的无比强劲业绩，令摩根士丹利等华尔街大行高呼“存储超级周期”已至，凸显出全球持续井喷式扩张的AI训练/推理算力需求以及端侧AI热潮驱动的消费电子需求复苏周期全面带动DRAM/NAND系列存储产品需求指数级扩张，尤其是DRAM细分领域HBM存储、服务器级别DDR5以及NAND领域的企业级SSD需求激增。
三星在供应急剧短缺之际将DDR5存储价格上调最高达60%
据媒体援引知情人士透露的消息称，此举是在三星电子决定推迟于10月份就存储芯片供应合同定价作出正式公告之后所发生的，并补充表示，定价细节通常每月公布一次。
据媒体报道，知名半导体分销商Fusion Worldwide的总裁Tobey Gonnerman表示，三星电子在11月份报价的被最广泛应用的32GB DDR5存储芯片模组合约价大幅跃升至239美元，远远高于9月份的149美元。这类DDR5存储芯片被广泛用于AI服务器算力集群，以及某些高端个人计算机产品和其他高性能端侧设备。
知情人士表示，这家韩国科技巨头还将16GB DDR5和128GB DDR5存储芯片模组的价格大幅上调约50%，分别至135美元和1,194美元。知情人士表示，更大存储容量的64GB DDR5和96GB DDR5的价格则大幅上涨了逾30%。
媒体报道指出，另一组获三星内部简要告知报价情况的知情人士们也证实了这次大幅涨价。
媒体报道还称，知情人士们指出，DRAM存储芯片短缺情况之严重，已导致大部分企业级别客户出现恐慌性大规模抢购。
来自KB证券的资深研究主管Jeff Kim表示，由于三星电子向HBM存储系统转型的步伐相比于美光与HBM霸主——SK海力士而言相对较慢，这也意味着全球最大规模DRAM存储芯片制造商三星电子在HBM存储系统之外的广泛存储芯片领域拥有较竞争对手们更加乐观的存储产品定价权，主要因三星拥有相比于同行更大规模的库存，带来的更加强劲的议价权。
媒体补充表示，来自半导体咨询机构集邦咨询(TrendForce)的资深分析师Ellie Wang表示，三星电子很可能在10月至12月期间将季度合约价格大幅上调40%至50%，高于更广泛存储行业预计的平均30%。
分析师Ellie Wang指出，该公司对价格将会持续大幅上涨充满信心，主要原因是AI数据中心建设热潮带来的存储需求无比强劲，且各方企业都在与存储供应商们签订长期性质的存储产品供给协议。她补充表示，这些协议要么针对2026年全年，要么覆盖2026年到2027年。
所有AI基建项目都可见数据中心高性能存储产品的身影
如果从规模高达5000亿美元“星际之门”AI基建项目，OpenAI已经签署的接近1万亿美元规模AI算力基础设施累计协议的角度来看，这些超级AI基建项目都难以摆脱英伟达AI GPU算力集群，以及数据中心企业级高性能存储产品(以HBM存储系统、企业级SSD/HDD，服务器级别DDR5等存储产品为核心)。
在这轮以AI大模型更新迭代以及AI数据中心扩建/新建为核心的史无前例AI投资周期中，英伟达等核心AI算力组件厂商们无疑是最大赢家;紧随其后的，则是以HBM为代表的高端存储器供应商(SK海力士、三星以及美光等)，以及服务于AI数据中心的企业级高性能存储厂商(近线HDD 与数据中心 SSD)。这两条链路正在构成“AI 算力×存储”的双轮AI投资周期驱动，其中HBM存储系统是紧贴AI GPU/AI ASIC算力集群的第一存储产品梯队，而紧随其后的企业级 HDD/SSD 则是承接AI数据“存储大洪流”的AI基础设施建设狂潮的另一个大赢家势力。
在全球加速扩张与AI训练/推理密切相关联基础设施的史无前例“AI算力竞赛”中，摩根士丹利等华尔街大行高呼“存储超级周期”已至，企业级存储硬盘需求激增推动了数据存储产品巨头们，比如希捷、闪迪和西部数据的股价今年涨幅均高达三位数，可谓大幅跑赢美股大盘乃至全球股票市场。
摩根士丹利表示，SK海力士的“售罄”信号，显示存储产能供应将更加紧张，整个存储芯片行业已经进入所谓的“卖方市场”，专属于存储芯片价格的持续上涨环境将持续贯穿整个2026年，有望持续至2027年。
摩根士丹利在最新研报中表示，在全球大型企业与各政府部门纷纷斥巨资布局AI的这股史无前例AI基建狂热浪潮中，与人工智能训练/推理系统密切相关的核心存储芯片需求仍然无比火爆，推动包括HBM存储系统、服务器级别DDR5与企业级SSD在内的数据中心存储业务营收猛增，本轮存储“超级周期”的持续时间有望远超历史峰值。
摩根士丹利指出，本轮存储超级周期的核心驱动力已发生质变。需求方不再是价格敏感的传统消费电子客户们，而是为构建天量AI算力基础设施而展开军备竞赛的AI数据中心和云计算服务巨头们，乃至一些主权政府机构。大摩表示，对他们而言，获取包括DRAM与NAND系列的存储产品是战略“必需品”，价格敏感度被降至最低，同时，HBM所需的庞大产能仍在结构性地挤占三大存储巨头的DDR4与DDR5产能。