英伟达 （Nvidia Corp.）的供应商美光科技 （Micron Technology Inc.）表示，内存芯片短缺在过去一个季度进一步加剧，并重申由于 AI 基础设施所需的高端半导体需求激增，这一紧张局面将持续到今年以后。

美光运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）在上周五公司于纽约州锡拉丘兹（Syracuse）郊外为一处总投资 1000 亿美元的生产基地举行奠基仪式后不久接受采访时表示：“我们目前看到的这种短缺确实是前所未有的。”这一表态强化了美光在去年 12 月给出的类似预测。

巴蒂亚表示，用于制造人工智能加速器的高带宽内存正在“消耗整个行业中大量可用产能，从而在传统领域——如手机或 PC——造成了严重短缺”。

他补充称，PC 和智能手机厂商已经加入排队行列，试图锁定 2026 年之后的内存芯片供应，而自动驾驶汽车和人形机器人也将进一步推高对这些组件的需求。

上周五，界面新闻报道称，包括小米集团、OPPO 以及传音控股在内的多家中国主要智能手机厂商，因内存成本上升，正在下调 2026 年的出货目标，其中 OPPO 的下调幅度最高可达 20%。

行业研究机构 Counterpoint Research 在去年 12 月估计，由于内存芯片短缺推高成本并压缩产能，今年全球智能手机出货量可能下降 2.1%。包括戴尔科技（Dell Technologies Inc.）在内的 PC 厂商也警告称，持续的短缺很可能会对其业务造成影响。

全球内存芯片行业三巨头——美光、SK 海力士（SK Hynix Inc.）和三星电子（Samsung Electronics Co.）——的股价在 2025 年因 AI 热潮而大幅上涨。SK 海力士表示，其 2026 年的全部芯片产能已被预订一空；美光也称，其 AI 内存半导体今年同样已经满单。

为优先向包括英伟达在内的战略级企业客户供货，美光去年 12 月表示将终止其广受欢迎的 Crucial 品牌消费级内存业务。AI 行业对内存芯片近乎无止境的需求，也让美光在美国和亚洲扩张制造能力的计划变得更加紧迫。

上周六，美光宣布计划以 18 亿美元收购一处带有现成工厂的厂址。

这一举措大幅缩短了美光新建工厂投产所需的时间。公司表示，将在 2027 年下半年开始实现 DRAM 晶圆的实质性产出。

DRAM 为英伟达和英特尔（Intel Corp.）等公司的复杂处理器提供计算所需的运行环境，也是 AI 加速器实现最佳性能所必需的高带宽内存的核心。

巴蒂亚在上周五的采访中表示：“我们在亚洲工厂所做的工作，将是持续向下一代技术过渡。”

另一方面，他补充称，新增的晶圆产能几乎将全部落地美国。

美光位于锡拉丘兹附近、总投资 1000 亿美元的项目计划建设四座 DRAM 晶圆厂——每一座的面积约相当于 10 个足球场。首批晶圆预计将在 2030 年从生产线上下线。

这家美国芯片制造商还将在博伊西现有研发设施旁新增相当于两座晶圆厂的产能。其中第一座爱达荷州工厂计划于 2027 年开始投产，第二座工厂正在规划中。此外，公司还在对弗吉尼亚州一处现有制造设施进行现代化改造和扩建。