邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利,能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度

金融界
Jan 31, 2025

金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利,公开号CN 119381279 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用,属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤:将硅基材料置于热处理装置中,然后设定所述热处理装置的温度、恒温时间和内腔空间的压力,并使得所述热处理装置的腔体空间内的气氛为惰性气氛;测量热处理后的硅基材料中氧化层的厚度和均匀性,以判断RTO过程中的漏氧程度。本发明提供的量测方法不仅工艺简单,能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度,效率高,而且能够在高温环境下准确测量硅基材料的漏氧程度和均匀性,可实现对RTO过程中装置内腔体空间的密封性检测。

天眼查资料显示,无锡邑文微电子科技股份有限公司,成立于2011年,位于无锡市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36000万人民币,实缴资本2142.432万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡邑文微电子科技股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目133次,知识产权方面有商标信息20条,专利信息317条,此外企业还拥有行政许可31个。

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