（图片来源：林志佳拍摄）

4月22日消息，市场传三星电子通知客户于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4存储器生产（End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前出货，主要原因是国内手机LPDDR4存储芯片订单转到本土工厂制造，三星将聚焦LPDDR5以上的高端产品。

对此传闻，4月22日中午，三星半导体方面对钛媒体AGI独家回应称：不评论业界传言，生产在按序进行。

据悉，CFM闪存市场数据显示，在AI服务器的强劲需求带动下，2024年，全球DRAM和NAND闪存销售收入创1670亿美元的历史新高，比上一年涨85.53%，但去年第四季度，全球NAND闪存规模却减少8.5%，至174.1亿美元。预计2025年，全球存储市场产值预计仅实现2%的微幅增长。

在DRAM（动态随机存取存储器）方面，2024年DRAM市场规模达到970亿美元，容量达到2500亿Gb，其中，HBM热潮成为DRAM市场的一大亮点。

CFM闪存市场预计，到2025年，随着三星、美光、SK海力士等多家公司的HBM4将量产落地，HBM产品在全部DRAM产业中的占比将接近30%，市场将达到2880亿Gb当量，并且在服务器内存消耗方面，其应用还在持续增长。

财报显示，2024年，三星电子公司实现收入300.9万亿韩元 （约1.52万亿元人民币），同比增长16%；而归母净利润则飙升至33.6万亿韩元 （约1692.43亿元人民币），同比增长131%。其中，三星内存业务成为主要增长引擎，销售额达84.5万亿韩元，同比增长91%，HBM及DDR5产品贡献显著。

目前，三星主要瞄向中高端DRAM存储和NAND闪存芯片市场。据公开报道，2025年，三星将HBM3E产能提升三倍，并将QLC SSD的市场占比目标设定为30%，相比2024年的15%大幅提高。同时，公司计划减少超过20%的传统DRAM产能，转向生产LPDDR5x及HBM等高端产品。

今年1月，HBM4内存已经准备采用4nm试产，待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。

三星电子表示，这一强劲表现得益于对存储芯片的强劲需求，包括用于 AI 服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。“HBM、DDR5等以服务器为中心的产品销售扩大，同时公司积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。”

里昂证券(CLSA)分析认为，数据中心和 AI 开发需求推动内存芯片的平均价格较上一季度上涨了15%，这帮助三星最大的部门扭转了上年同期亏损。美银预计，三星2025年的HBM3e销售预计达24亿美元，占HBM总销售额的34%。