芯联集成电路申请 MEMS 器件制造方法专利,防止大面积的器件区的金属结构被腐蚀

金融界
10 May

金融界 2025 年 5 月 10 日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种 MEMS 器件及其制造方法、电子装置”的专利,公开号 CN119929736A,申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示,一种 MEMS 器件及其制造方法、电子装置,该 MEMS 器件包括:第一半导体衬底和第二半导体衬底,第一半导体衬底和第二半导体衬底相键合,并在两者之间设置有器件区;还包括挡液墙结构,挡液墙结构、第一半导体衬底和第二半导体衬底合围成腔室单元,器件区对应设置于一个腔室单元内。在 MEMS 器件的制造过程中,即使在半导体衬底中产生了裂纹,顺着裂纹进入器件区的腐蚀性液体由于挡液墙结构的阻挡,难以在多个器件区之间进行大面积的扩散,防止大面积的器件区的金属结构被腐蚀,从而提升了整片半导体衬底的芯片良率。

天眼查资料显示,芯联集成电路制造股份有限公司,成立于2018年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目1692次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息706条,此外企业还拥有行政许可40个。

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