金吾财讯 | 国金证券研报指，英诺赛科(02577)是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与产业化的高新技术企业，采用IDM模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、封测于一体。公司产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的GaN功率器件，已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 照明驱动等应用与多家行业头部企业开展深度合作并实现量产。GaN功率器件具有高频、低损耗和高性价比等优势，根据公司招股说明书，预计全球GaN功率器件市场将从2024年的32亿元增长至2028年的501亿元，CAGR=98.5%，而消费电子和电动汽车将成为两大主要应用场景。 该行指，公司在GaN行业保持领先的三大核心优势：1）成本优势；2）产能优势；3）客户和技术优势。该行预测公司25~27年分别实现营收13.20/22.08/34.52亿元，同比+59%/+67%/+56%，25-26年分别亏损5.65/1.45亿元，25-26年分别减亏46%和74%，预计27年实现归母净利润2.38亿元（同比+265%）。公司的市占率行业领先，IDM模式能够更好的实现协同作用，未来有望率先受益于GaN渗透率的提升，给予2025年35xPS，目标价52.55港币，首次覆盖给予“买入”评级。
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