近日，台积电重申，1.4nm级工艺技术不需要高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，目前找不到非用不可的理由。

台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其长期以来对下一代高NA EUV光刻设备的立场。该公司的下一代工艺技术，包括A16（1.6纳米级）和A14（1.4纳米级）工艺技术，不需要这些最高端的光刻系统。

因此，台积电不会在这些节点上采用高数值孔径EUV设备。

“人们似乎总是对台积电何时会使用高数值孔径 (High-NA) 感兴趣，我认为我们的答案很简单，”台积电副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁张晓强 (Kevin Zhang) 在活动上表示。

“只要我们发现高数值孔径 (High-NA) 能够带来有意义的、可衡量的效益，我们就会采用。对于A14 来说，我之前提到的性能提升在不使用高数值孔径的情况下也非常显著。因此，我们的技术团队正在持续寻找延长现有EUV寿命的方法，同时获得微缩优势。”

台积电的A14工艺基于其第二代纳米片环栅晶体管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的标准单元架构。

据台积电称，A14 在相同功率和复杂度下性能提升高达15%，或在相同频率下功耗降低25%至30%。

“这是我们技术团队的一项伟大创新，”张晓强说。“只要他们继续寻找方法，显然我们就不必使用高数值孔径EUV。最终，我们会在某个时候使用它。只是我们需要找到一个合适的拦截点，提供最大的效益，实现最大的投资回报。”

据了解，ASML最新一代的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机是目前世界上最先进光刻机，单价高达4亿美元，如此高昂的价格让很多厂商望而却步。

截止目前，ASML已向客户交付总共5台，包括Intel、三星。 其重达180吨、体积如同双层巴士，堪称全球最昂贵的半导体制造设备之一。

2023年12月，Intel率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机