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IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

据 Chosun最新报道，三星已经开始实施一项“选择与集中”战略，其主要目标是将 2 纳米 GAA 技术的良率提升至 60% 至 70%。一旦达到这一里程碑，大规模生产将成为可能，潜在客户也将进一步认识到其技术潜力。

据报道，三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在 2 纳米 GAA 节点上已经取得了一定进展，使其成为帮助三星实现复兴并对抗台积电的可行选择。

然而，三星的处境并不乐观。此前曾有报道称，三星终于获得了一线生机，有望为高通生产骁龙 8 Elite Gen 2 芯片，但在完成试生产阶段后，高通却据称取消了这一计划。尽管如此，三星并未放弃努力，据悉其已完成了第二代 2 纳米工艺的基本设计，并计划在未来两年内推出第三代技术，即“SF2P+”。

据IT之家了解，通常情况下，为了使晶圆生产在商业上具有可行性，客户的良率需要达到 70%。报道称三星高管已为其各部门设定了六个月的期限，以实现上述目标。

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