（来源：研报虎）

　　事件：8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案。

　　我们的观点：AI算力设施对SiC/GaN器件需求提升，有望打开产业成长空间。部分投资者认为，由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因，第三代半导体行业未来发展空间可能受限。但我们认为，SiC/GaN在AI算力设施供电系统中的应用潜力尚未完全挖掘。未来，AI服务器及数据中心对SiC/GaN器件需求有望持续提升，打开产业成长空间。

　　AI服务器功耗高，数据中心需要使用更高功率的供电架构。为了应对更高端的AI运算，服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。在从电网到IT机架的降压环节，在功率要求提升的背景下传统的机架内部配电架构受限于功率密度、铜材用量和系统效率等方面的物理极限；基于此，英伟达正在推进HVDC供电架构，在数据中心外直接将13.8kV交流电转换为800V高压直流来为IT机架供电。在二次降压环节，传统的12V供电架构无法满足高效传输需求，当前48V及以上的供电系统正逐渐成为主流。随着AI服务器与数据中心对供电系统的要求提升，需要运用性能更优的功率器件以实现更高效的功率传输。

　　SiC/GaN可用于HVDC、电源模块等场景，适配AI算力设施的大功率供电需求。SiC/GaN等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点，允许材料在更高的温度和电压下运行，降低能耗和成本。目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。例如，在HVDC方面，Navitas宣布依靠GaN和SiC技术参与英伟达下一代800VHVDC电源架开发，为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。在服务器电源方面，英飞凌基于GaN/SiC技术，持续推出更高功率的电源供应单元解决方案。展望未来，在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下，SiC/GaN有望得到更广泛的应用。

　　头部厂商推动产能布局，响应下游强劲需求。2025年7月Navitas宣布与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产GaN产品。同月，英诺赛科确认公司将进一步提升8英寸产能，预计2025年年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。头部厂商持续推动产能布局，响应市场对SiC/GaN需求的提升。

投资建议与投资标的

　　AI服务器及数据中心需求有望打开SiC/GaN功率器件成长空间。建议关注：GaN行业龙头英诺赛科；深度布局SiC/GaN功率器件的头部功率器件厂商闻泰科技、华润微、新洁能、斯达半导、天岳先进；布局SiC功率器件业务的晶圆代工企业芯联集成-U；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；布局第三代半导体设备市场的中微公司等。

风险提示

消费电子需求不及预期，AI落地不及预期，竞争格局变化

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