8月1日，在恒生指数疲软的背景下，港股的英诺赛科（02577.HK）盘中突然飙涨，一度涨超60%，创上市以来的新高，随后震荡调整，收盘仍涨30.91%，报57.6港元/股，市值约515.2亿港元，单日市值暴增超百亿港元。另外，公司今日成交量急剧放大，单日成交金额超42亿港元，资金如潮水般涌入。

消息面，根据英伟达官网8月1日更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达（NVDA.US）合作伙伴中唯一的中国芯片企业。这意味着双方正式达成深度合作，双方将携手推动800V直流电源架构在I数据中心的规模化应用。

据悉，此次合作将单机房算力密度提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。

所谓800V高压直流架构，也即此前热门的HVDC架构。业内人士称，当前AI模型参数量不断扩大，算力需求激增，由此带来的高能耗问题也迫在眉睫，高性能GPU的电源管理成为关键瓶颈。英伟达布局800V高压直流架构，是为了提升数据中心的能效比、散热管理和系统可靠性，这或也是英诺赛科被选中的原因，公司股价站上“超级风口”。

资料显示，英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件。

机构认为，第三代半导体凭借其独特的物理特性，正在引领新一轮技术革新。在相关成本不断下探及工艺不断发展的背景下，其下游应用场景不断涌现。本次英伟达和英诺赛科的合作，也说明氮化镓芯片在AI算力领域应用前景巨大，在一定程度上可以缓解AI高算力带来的能耗危机。

关于本次合作，英诺赛科也回应称，与英伟达的合作已有一段时间，公司主要凭借大功率氮化镓技术入围。不过，目前合作尚处于测试阶段，暂未产生实质性订单。因公司正处于半年报发布阶段，不便对此次合作前景与影响作出回应。

对于后续公司发展，不少机构表示乐观。中信里昂证券表示，氮化镓和碳化硅具有更高的能量转换效率，可以在更高的电压下工作，英伟达的革新有望增加氮化镓和碳化硅功率半导体的使用，预估英诺赛科的数据中心业务在2024年的收入贡献为2%，到2025年将增长至8%。

华创证券研报指出，英诺赛科是全球首家实现8英寸氮化镓晶圆量产的IDM厂商，专注于GaN功率器件研发、制造与销售。作为全球唯一覆盖15V-1200V全电压谱系的氮化镓功率半导体供应商，公司聚焦15V-900V全电压产品线，覆盖消费电子、数据中心、新能源车及工业电源等核心场景，2023年以42.4%市占率位居全球GaN分立器件出货量第一，截至2024年末月产能达1.3万片，并计划未来五年内将产能提升至7万片。

中国银河证券则表示，未来AI数据中心800V供电有望成为主流趋势，更高电压的应用可以减少电源线占用的空间，同时考虑到未来AIDC中直流设备（光伏、储能、电池、IT服务器、直流充电桩、直流照明和空调设备等）的比重将越来越大，与其兼容的全直流供电架构也有助于数据中心及周边新能源、储能的广泛接入，并支持负载侧的智能化调控。