金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120456589A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区的器件工作电压小于第二区的器件工作电压；鳍部，分立于第一区和第二区的衬底上；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部的部分侧壁，被隔离层暴露的鳍部作为有效鳍部，第一区的有效鳍部高度大于第二区的有效鳍部高度；第一栅介质层，位于第二区的有效鳍部上；第二栅介质层，位于第一区的有效鳍部上，第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度；栅极层，横跨有效鳍部且覆盖第一栅介质层和第二栅介质层，栅极层覆盖有效鳍部的部分顶部和部分侧壁。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
Disclaimer: Investing carries risk. This is not financial advice. The above content should not be regarded as an offer, recommendation, or solicitation on acquiring or disposing of any financial products, any associated discussions, comments, or posts by author or other users should not be considered as such either. It is solely for general information purpose only, which does not consider your own investment objectives, financial situations or needs. TTM assumes no responsibility or warranty for the accuracy and completeness of the information, investors should do their own research and may seek professional advice before investing.