智通财经APP获悉，8月22日，天岳先进(02631)与东芝电子元件及存储装置株式会社就天岳先进开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议，双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。

智通财经了解到，承担电力供应与控制功能的功率半导体，是实现所有电气设备节能化及碳中和不可或缺的半导体元件。在设备电力使用效率提升等需求背景下，预计未来其市场需求将持续扩大。其中采用SiC衬底的功率半导体，因其应用于电动汽车、可再生能源系统等要求高效电力转换场景，在电力效率之外，可靠性与品质稳定性也成为重要课题。

基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。为此，除东芝电子元件自主研发外，与SiC衬底技术改良的紧密协作也至关重要。此次与在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位的天岳先进达成具体合作，有望为各应用场景提供最优解决方案，加速业务拓展。

据悉，天岳先进自2010年创立以来，始终专注于单晶SiC衬底的开发生产。公司将品质与技术研发作为核心经营理念，碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五。以2022年中国首家SiC概念企业上市为契机，实现了全球化业务拓展与市场份额垂直增长。2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底，2025年实现n型、半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局。未来公司将继续通过卓越品质与尖端技术。此次与东芝电子元件达成合作，天岳先进将把SiC功率半导体产品的需求，以及东芝对SiC衬底核心技术应用的期待，转化为衬底品质与可靠性的提升，助力SiC功率半导体市场发展。