金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120529615A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底包括衬底以及凸立于所述衬底上的鳍部；第一功函数层，位于所述衬底顶部，且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述鳍部顶部的第一功函数层的厚度小于所述鳍部侧壁的第一功函数层的厚度；器件栅极结构，位于所述基底的顶部且横跨所述鳍部的部分顶部和部门侧壁，所述器件栅极结构覆盖所述第一功函数层；层间介质层，位于所述器件栅极结构露出的所述基底上，且所述层间介质层覆盖所述器件栅极结构的侧壁。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可449个。
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