智通财经APP获悉，国盛证券发布研报称，随着AI算力需求爆发，HBM(高带宽内存)已成为DRAM市场增长的核心驱动力，预计全球市场规模将从2024年的170亿美元飙升至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。‌3DDRAM技术通过垂直化架构突破传统制程极限，有望成为长期解决方案。该行认为，目前中国大陆光刻资源受限，3DDRAM更倚重蚀刻、薄膜、键合等技术而非EUV，中国厂商或有望在3DDRAM时代实现弯道超车。

国盛证券主要观点如下：

打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力

HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。2025年SK海力士已出货全球首批HBM4样品，三星计划在2025年底实现HBM4的量产，美光计划于2026年推出HBM4。关键的键合工艺流程方面，根据Market and technology Trends，2026年HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能开始逐步采用W2W键合，从2028年的HBM5(20层)开始，W2W或将成为主流。

3DDRAM：高密度DRAM架构最具潜力的长期解决方案之一

头部DRAM厂商持续升级DRAM制程，但平面形式下进一步缩小制程已接近极限，3DDRAM应运而生。实现有限面积的高效利用，存储单元布局需突破传统水平排列模式，核心路径分为两类：一是将单元结构垂直化以压缩占用空间，二是借鉴建筑堆叠逻辑实现单元阵列的立体排布。4F2结构是单元垂直化的关键技术方案，三星正在开发的垂直通道晶体管(VCT)DRAM，以及SK海力士推进的垂直栅极(VG)DRAM，均以4F2为核心技术架构。

高深宽比蚀刻、薄膜沉积等环节有望深度受益3DDRAM趋势。在3DDRAM的工艺流程中，图形化步骤大幅精简，高难度蚀刻/沉积工序显著增加。二维NAND曾是光刻精度竞赛的主战场，其存储单元平面微缩需求远超DRAM与逻辑芯片。但转向三维架构后，NAND通过堆叠层数实现密度跃升，高深宽比蚀刻等重要性凸显。3DDRAM趋势下，产业价值正在从光刻设备向蚀刻、沉积环节迁移。

3DDRAM亦增加W2W键合需求，预计bonder市场规模2030年达3000亿日元。在4F2和3DDRAM中，有一项重要技术是将控制电路(周边电路，如感应放大器、WL驱动器、解码器等)垂直堆叠，芯片面积可以进一步缩小，就需要将绘制有DRAM单元阵列的晶圆和绘制有控制电路的晶圆分开制作，再进行W2W键合。TEL预计bonder市场规模将从2025年的1000亿日元增加到2030年的3000亿日元。

3DDRAM降低EUV依赖度，中国厂商或有望实现弯道超车

海外厂商中，三星VCTDRAM预计最快在未来两到三年内实物产品将正式面向市场，2024年海力士展示5层堆叠结构的3DDRAM原型产品，良率达56.1%，美光3DDRAM专利颇多，技术路径为在不放置Cell的情况下改变晶体管和电容器的形状。国内厂商中，长鑫用横向堆叠方式，把传统DRAM的电容与晶体管组合转为躺在同一层的内存单元，再逐层堆叠起来，简化了垂直整合工艺，有望先实现量产，再逐步优化，外围电路如控制单元依然放在独立芯片上，通过混合键合整合，整体思路与早期3DNAND类似。长鑫在2D工艺还落后三星、海力士、美光等大厂两三代，该行认为，目前中国大陆光刻资源受限，3DDRAM更倚重蚀刻、薄膜、键合等技术而非EUV，中国厂商或有望在3DDRAM时代实现弯道超车。

定制化存储助力端侧AI，国产厂商有望迎积极进展

从产业趋势来看，定制化存储逐渐成为端侧AI的优选方案，其中，华邦CUBE具有高带宽、低功耗、优化散热、灵活可定制等特性，预期CUBE应用首批导入的终端产品会出现在一些国外穿戴类设备客户;南亚科定制化存储目标于2025年底完成验证、2026年开始导入量产，目标应用涵盖AI服务器、AIPC、AI手机、AI机器人与AI汽车;兆易创新控股子公司青耘科技紧贴客户需求，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。公司定制化存储在AI手机、AIPC、汽车、机器人等若干领域的客户拓展进展顺利。

风险提示：技术演进不及预期、宏观经济风险、地缘政治风险。