禾纳半导体申请MOS晶体管封装级测试方法及装置专利,提前识别导致器件失效的隐患

市场资讯
Sep 05

国家知识产权局信息显示,禾纳半导体(深圳)有限公司申请一项名为“MOS晶体管的封装级测试方法及装置”的专利,公开号CN120595072A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明涉及MOS晶体管技术领域,公开了一种MOS晶体管的封装级测试方法及装置。该方法:对封装MOS晶体管施加多频率脉冲信号,得到不同频率下的MOS晶体管响应数据;对所述MOS晶体管响应数据进行参数同步采集,得到原始测试数据;对所述原始测试数据执行封装寄生效应补偿处理,得到校正测试数据;对所述校正测试数据进行信号特征分解,得到MOS晶体管的特征参数集;基于所述特征参数集进行封装缺陷分析,得到缺陷识别报告。

天眼查资料显示,禾纳半导体(深圳)有限公司,成立于2018年,位于深圳市,是一家以从事房地产业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,禾纳半导体(深圳)有限公司参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息12条,此外企业还拥有行政许可9个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

Disclaimer: Investing carries risk. This is not financial advice. The above content should not be regarded as an offer, recommendation, or solicitation on acquiring or disposing of any financial products, any associated discussions, comments, or posts by author or other users should not be considered as such either. It is solely for general information purpose only, which does not consider your own investment objectives, financial situations or needs. TTM assumes no responsibility or warranty for the accuracy and completeness of the information, investors should do their own research and may seek professional advice before investing.

Most Discussed

  1. 1
     
     
     
     
  2. 2
     
     
     
     
  3. 3
     
     
     
     
  4. 4
     
     
     
     
  5. 5
     
     
     
     
  6. 6
     
     
     
     
  7. 7
     
     
     
     
  8. 8
     
     
     
     
  9. 9
     
     
     
     
  10. 10