涨价前所未见

10月25日，据存储产业链相关人士透露，部分原厂的Dram和Flash产品已暂停报价，即使报价，价格有效期也较短，且波动频繁。

针对这种情况，国内产业链亦受到不小影响。

江波龙证券部人士表示，公司有存货，上游涨价对公司毛利率有促进作用。

普冉股份证券部人士称，自四季度开始，公司面临一些供给紧张的情况，正在与下游客户商议价格涨幅。

香农芯创证券部人士则表示，作为分销商，存储上游涨价对公司毛利率影响较小，主要影响来自量的变化。

一、涨势惊人：超级涨价周期来袭

当前，存储芯片市场正经历着一场罕见的涨价潮。自上半年起，这波涨势便已开启，直至第四季度，不仅没有放缓的迹象，反而愈发猛烈。

国内一家存储模组厂的员工感慨：“这次涨价的特别之处在于，我在这个行业这么多年，之前从未见过涨价周期能够持续这么久。”

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从具体数据来看，CFM 闪存市场报价显示，产业上游成本急速攀升，DDR4 16Gb 3200 现货报价本周达到 13.00 美元，较上周暴涨 30%；512Gb Flash Wafer 价格 10 月以来累计涨幅也已超过 20% 。存储产业链人士透露，原厂的部分 Dram 和 Flash 产品已停止报价，即便报价，价格也是 “一天一个价” 。TrendForce 集邦咨询分析师许家源预计，DRAM 的整体价格（加计 HBM）在第四季度将季增 13%-18%。

这种长时间的产业链全面上涨，堪称 “超级周期”，让众多存储从业人士直呼前所未见。在资本市场，10 月 24 日，A 股存储芯片概念再度爆发，普冉股份、香农芯创强势 20% 涨停，佰维存储、江波龙等涨超 10%，足见市场对这轮涨价周期的高度关注。如此惊人的涨势背后，究竟有着怎样的深层原因？

二、涨价背后：AI 打破供需天平

这轮存储芯片涨价潮的核心驱动力，是 AI 技术发展带来的供需结构变化。随着 AI 大模型的不断迭代升级，如 ChatGPT、文心一言等的出现，全球云服务供应商开启 “囤货模式” 。

以 OpenAI 的 “星际之门” 项目为例，其每月消耗的 DRAM 晶圆量接近全球总产能的 40%。单台 AI 服务器的存储需求是传统服务器的 5-20 倍，且需搭配高带宽内存（HBM），HBM3E 的带宽达 1.2TB/s，单价较上一代提升 60%-70%，这种 “量价齐升” 的需求直接打破了传统存储市场的供需平衡。

在总产能有限的情况下，存储巨头们为了追求更高的利润，纷纷将产能重点转向 HBM 和 DDR5 等高端产品。三星、SK 海力士、美光等从 2024 年起系统性削减 DDR4/LPDDR4X 产能。三星计划 2025 年底完全停产 DDR4，SK 海力士将 DDR4 产能占比压缩至 20% 。

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由于 HBM 所消耗的晶圆容量是标准 DRAM 的三倍多，使得存储巨头们将产能重点转向利润更高的 HBM 和 DDR5。这就导致了传统消费电子所需的 DDR4、LPDDR4X 等旧制程产品供给被挤压，开始面临 “计划性牺牲” 而供应紧缺 。

从今年一季度开始，DDR4 的原厂价格就持续走高。一款金士顿的 DDR4 台式机内存条，价格从今年 3 月开始急速上涨，目前售价已超去年同期两倍。

手机等终端市场也受到波及。23 日发售的 Redmi K90 系列手机部分版本售价较上一代上调了 100-400 元不等，小米集团总裁卢伟冰表示，来自上游的成本压力，已真实地传导到了新品定价上，存储成本上涨远超预期且会持续加剧。 这种 AI 驱动的产能转移，引发了产品供应的结构性失衡，进而导致整个存储市场的涨价。

三、市场百态：各环节的应对之策

在这场存储芯片涨价潮中，国内存储产业链各环节纷纷采取不同策略来应对。

对于模组厂，囤货成为关键策略。江波龙证券部人士表示，上游涨价对公司毛利率有正向贡献，因其提前储备存货。

从八月起，众多模组厂积极储备颗粒及晶圆库存，并调涨模组产品定价。不过，并非所有模组厂都如此，朗科科技采取 “清库存” 运营模式，库存量少，业绩波动性相对较小 。

芯片设计公司和分销商则依赖产业链的价格传导。普冉股份证券部人士称，公司正与下游客户商谈涨价，试图在供给紧张的四季度实现价格涨幅。分销商香农芯创表示，分销业务毛利水平稳定，上游采购价涨，分销给下游的价格也会涨，主要受量的变化影响，毛利变化不大。

国际原厂的涨价还使得部分国产厂商转向国内晶圆厂，让国内晶圆厂从中受益，原厂获利显著扩大已成为行业共识 。

四、国产机遇：拥抱 AI 新周期

在这场由 AI 引发的存储芯片行业变革中，国产厂商迎来了难得的发展机遇，正加速拥抱 AI 新周期 。

国内企业积极扩大企业级 SSD 等产品供应，将目光投向 HBM、先进封装和服务器 DDR5 等高附加值领域 。在国产 HBM 产业链中，检测设备、先进封装等环节已相对成熟。

赛腾股份在投资者平台表示，其 HBM 检测设备已获海外大客户认可并批量出货，国内市场也在积极开拓 ；中微公司公开表示，已在先进封装领域（包含高宽带存储器 HBM 工艺）全面布局，涵盖刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已发布 CCP 刻蚀及 TSV 深硅通孔设备 。

佰维存储的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程，项目完成后将为客户提供 “存储 + 晶圆级先进封测” 一站式综合解决方案，提升公司在存算整合领域的核心竞争力 。

许家源预测，随着各大原厂 HBM 产能释放，2026 年 HBM3e 可能面临供过于求压力，但新世代的 HBM4 技术门槛高，仍会供不应求 。国产厂商在这一变革时期积极布局，有望在全球存储芯片市场中占据更有利的地位，推动产业迈向新的高度 。