近日，有市场消息称，士兰微、英飞凌、华润微等厂商纷纷向客户发布产品涨价通知函，多家企业集中调价引发行业广泛关注。截至目前，国内外已有多家功率半导体企业明确发布涨价通知或官宣调价计划，涵盖国际大厂与国内本土企业。
其中，士兰微在涨价函中明确，受全球金属市场波动影响，芯片关键贵金属价格大幅上涨，叠加晶圆制造成本持续攀升，公司内部降本措施已无法完全覆盖成本压力，因此决定对相关产品价格进行调整。
士兰微本次涨价将于2026年3月1日正式生效，涉及小信号二极管/三极管芯片、沟槽TMBS芯片、MOS类芯片等多款功率器件产品，统一涨价幅度为10%。
同日，德国半导体巨头英飞凌也发布涨价通知，宣布自2026年4月1日起，上调部分功率开关器件及集成电路（IC）产品价格。
英飞凌在函中解释，此次涨价主要源于两大因素：一是受人工智能数据中心大规模建设与部署的驱动，市场对公司多款功率开关与IC产品需求大幅激增，导致相关产品供应持续吃紧；二是为满足持续增长的市场需求，公司需追加巨额投资以扩充晶圆厂产能，同时面临原材料与基础设施成本的显著上升。
稍早之前，华润微电子也正式发布价格调整通知函，明确自2026年2月1日起，对公司全系列微电子产品启动价格上调，上调幅度最低为10%。
华润微表示，全球半导体产业链上游原材料及关键贵金属价格持续大幅攀升，直接导致公司晶圆制造成本与封测成本显著上升。
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成本承压与需求驱动成涨价核心原因
近期全球功率半导体企业接连涨价，并非偶然，而是行业供需格局、成本压力及产业链传导共同作用的结果，其涨价逻辑与功率半导体产业链的特性深度绑定。
从涨价核心成因来看，首要驱动力是成本端的持续承压，这也是贯穿全产业链的共性因素。
一方面，大宗商品价格上涨直接推高生产成本，如罗姆提及的金价上涨、芯控源强调的原材料涨价，以及封装环节中铜、铝等金属材料价格攀升，其中封装成本在中小功率器件总成本中占比高达70%-80%，受冲击显著。
另一方面，晶圆代工产能紧张推高代工成本，台积电、三星等头部晶圆厂逐步退出8英寸晶圆成熟制程，中芯国际、华虹等国内代工企业则将更多产能倾斜至存储芯片，导致功率器件代工资源紧张，市场化定价水涨船高，进一步叠加了企业的成本压力。
其次，需求端的结构性增长为涨价提供了支撑。
随着AI数据中心、新能源车、储能、工业控制等下游领域的快速发展，功率半导体的市场需求持续攀升，尤其是AI服务器的爆发式增长，成为重要的需求增量。
传统服务器电源功率约800W，而AI服务器已普遍采用5.5kW电源，并向12kW演进。据行业信息，单台服务器的功率器件价值从6-7美元跃升至30-50美元，提升近5倍，直接带动功率开关、电源管理芯片等产品的需求激增，部分型号甚至出现缺货现象，为企业涨价提供了市场基础。
同时，汽车电子、储能领域的持续发展，也进一步放大了功率半导体的需求缺口，支撑价格上行。
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涨价联动，第三代半导体迎发展新契机
进一步分析来看，对第三代半导体来说，功率半导体大厂的涨价也会对其产生深远且多维的影响。
目前第三代半导体普及的最大障碍是其高于传统硅基（Si）器件的单体成本。当英飞凌、TI等巨头提高传统硅基功率器件（如IGBT、MOSFET）的价格时，原本低廉的硅基产品与昂贵的SiC/GaN之间的价格差距会相应缩小。
那么对于下游客户（如新能源车企、服务器厂商）而言，如果硅基器件涨价，而第三代半导体通过规模化生产正在降价，因此切换到高性能SiC/GaN的系统级性价比将大幅提升，有望加速市场从第一代向第三代半导体切换。
其次，功率半导体厂商的涨价也会促使下游企业重新审视成本结构。
虽然SiC器件本身较贵，但由于其耐高温、高压的特性，可以显著减小散热器和被动元件的体积。当传统功率器件涨价时，车企或将倾向于使用SiC，通过减轻车重、缩减电池包容量，以抵消芯片端的涨价压力。
而在AI服务器电源市场，传统硅基电源涨价会促使厂商转向效率更高的GaN方案，以通过降低PUE（能耗指标）和减少电费开支来实现长期运营成本的降低。
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结 语
综上，以英飞凌为主的功率半导体涨价潮，并非单一企业的成本转嫁行为，而是行业供需失衡、成本攀升、技术迭代多重因素共振的必然结果，更是全球功率半导体产业进入结构调整期的重要信号。
从长期来看，此次涨价潮不仅加速了硅基功率半导体的国产替代进程，更成为第三代半导体突破成本瓶颈、实现规模化应用的重要催化剂，推动行业向高效、节能、小型化的高端领域转型。