全球最大规模半导体设备制造商之一应用材料在周四美股收盘后公布最新季度业绩与未来展望报告，数据显示，覆盖几乎全套高端半导体设备的应用材料公司给出了超预期季度业绩以及无比强劲的未来业绩指引区间，凸显出在全球范围AI算力基础设施建设浪潮如火如荼以及“存储芯片超级周期”宏观背景之下，半导体设备厂商们也迎来超级增长周期，它们将是AI芯片(涵盖AI GPU/AI ASIC)与DRAM/NAND存储芯片产能急剧扩张趋势的最大规模受益者。
应用材料股价在美股盘后交易中一度暴涨超14%，主要因该公司给出了出人意料的极度强劲营收预测区间，表明人工智能与存储类半导体需求正在大幅推动台积电等芯片制造领军者们加速推进半导体高端制造设备采购。
市场最为聚焦的业绩展望方面，这家美国最大规模的半导体制造设备与先进封装设备供应商预计，其2026财年第二季度营收约为76.5亿美元，上下浮动范围约5亿美元，相比之下，华尔街分析师们对于应用材料该财季(截至今年4月)的平均营收预期为70.3亿美元——要知道，随着3nm及以下先进制程AI芯片扩产与CoWoS/3D先进封装产能、DRAM/NAND存储芯片产能扩张大举加速，应用材料这一营收预期自今年以来被分析师们不断上调。
应用材料管理层最新给出的Non-GAAP准则下第二财季每股收益展望区间则为2.44美元至2.84美元(不含部分项目)，这一展望远远高于2.29美元的分析师平均预期。
应用材料首席执行官加里·迪克森(Gary Dickerson)在一份声明中表示，“关于AI计算领域的全球行业整体投资进程的加速”正在推动公司的业绩迈向强劲增长轨迹。
截至1月25日的2026财年第一季度业绩方面，尽管第一季度营收同比小幅下滑2%至70.1亿美元，但降幅远小于该公司此前预期，并且显著强于华尔街分析师们平均预期的约68.6亿美元。Non-GAAP 准则下的第一季度每股收益为2.38美元，高于2.21美元的华尔街平均预期，与上年同期基本持平;第一季度该公司毛利率来到49%，上年同期约48%，第一季度的Non-GAAP自由现金流高达10.4亿美元，意味着实现大幅增长91%。
业绩报告最大亮点——存储芯片扩张带来的强劲设备需求
应用材料正在从新一轮美国政府对华半导体设备出口限制引发的增速放缓中大举反弹，面临美国芯片制裁的中国长期以来是该公司半导体制造设备类产品的最大市场，但近年来应用材料诸多高端信号的半导体制造设备无法出口至中国。与DRAM/NAND存储芯片产能扩张相关的半导体设备扩张需求是应用材料这份最新季度业绩与未来展望报告一个最特别的增长亮点，凸显出三星电子与美光科技、SK海力士等大客户们正在加速扩大产能，以应对该市场的急剧短缺。
周四发布强劲业绩展望之后，该股在美股盘后一度上涨至375美元的高位。今年以来该股已大幅上涨28%，周四收于 328.39 美元。
迪克森在业绩电话会议上提到，市场对于高带宽存储(即HBM)——一种用于AI计算系统的高性能存储设备的无比强劲需求，是关键驱动因素。“我们预计今年按自然年测算，半导体设备业务将大幅增长20%以上，”他表示。
HBM是一种高带宽、低能耗的存储技术，专门用于高性能计算和图形处理领域。HBM通过3D堆叠存储技术，将堆叠的多个DRAM芯片全面连接在一起，通过微细的Through-Silicon Vias(TSVs)进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输，与英伟达GB200/GB300这类 AI GPU以及谷歌TPU AI芯片配合搭载使用。
HBM存储系统的本质是把DRAM 从“单颗芯片的密度/成本优化”升级为“面向GPU带宽/能效的系统级互连优化”：更高堆叠层数、更高I/O密度、更激进的互连间距，意味着 DRAM 制造中的关键工序(深孔刻蚀、介质/阻挡层沉积、金属互连与平坦化、缺陷/形貌控制)被显著强化。与此同时，HBM 作为 AI 计算系统的关键供给，也在推升全行业扩产与良率爬坡的迫切性。
SK海力士、三星以及美光这三大堪称垄断的存储芯片原厂纷纷将多数产能集中于HBM存储系统——这类存储产品需要的先进制程产能以及制造、封测复杂度相比于DDR系列以及HDD/SSD系列存储芯片而言复杂得多，因此三大存储芯片领军者不断将产能迁移至HBM，在很大程度上导致一些面向工业、电动汽车以及消费电子端的普通存储产品供不应求。
美国存储巨头美光科技CEO在2026财年第一季度财报电话会上表示，该公司2026年度的所有HBM产能已全部售罄，并预计HBM总潜在市场(TAM)将在2028年将达到1000亿美元(对比之下2025年约为350亿美元)。
Bloomberg Intelligence的一份研究报告显示，应用材料用于制造DRAM类存储芯片的刻蚀与沉积工具，“将因英伟达等AI芯片客户们的无比强劲需求而扩大”。
业绩报告还显示，该公司刚刚解决了一项备受关注的监管问题。本周早些时候，应用材料宣布计划支付2.525亿美元，以和解美国商务部关于不当向中国出口的调查，结束了一段持续多年的调查事件。
毋庸置疑的是，美国政府更严格的出口监管也对该公司基本面造成了巨大负面冲击。10月，应用材料表示，美国政府对中国限制措施的扩大将使其在2026财年损失约6亿美元营收。总部位于加州圣克拉拉(Santa Clara)的这家半导体设备巨头还宣布计划裁减其全球员工总数的 4%。
尽管应用材料股价去年股价大幅上涨58%，但仍落后于其他美国半导体设备制造商的爆发式股价表现。比如Lam Research Corp.股价在这一时期几乎翻番，科磊(KLA Corp.)股价上涨 93%。周四在应用材料公布强劲的业绩展望后，这些股票价格在盘后交易中也获得提振。
AI算力与存储芯片需求野蛮扩张! 半导体设备迎接超级周期
最近多家华尔街金融巨头发布研报称，半导体设备板块乃AI算力与存储需求爆表之下的最大赢家之一。随着微软、谷歌以及Meta等科技巨头们主导的全球超大规模AI数据中心建设进程愈发火热，全方位驱动芯片制造巨头们3nm及以下先进制程AI芯片扩产与CoWoS/3D先进封装产能、DRAM/NAND存储芯片产能扩张大举加速，半导体设备板块的长期牛市逻辑可谓越来越坚挺。
谷歌在11月下旬重磅推出Gemini3 AI应用生态之后，这一最前沿AI应用软件随即风靡全球，推动谷歌AI算力需求瞬间激增。Gemini3 系列产品一经发布即带来无比庞大的AI token处理量，迫使谷歌大幅调低Gemini 3 Pro与Nano Banana Pro的免费访问量，对Pro订阅用户也实施暂时限制，加之近期有着“OpenAI劲敌”称号的Anthropic重磅推出的一系列AI工具/代理式AI智能体协作平台瞬间爆火，再叠加韩国近期贸易出口数据显示SK海力士与三星电子HBM存储系统以及企业级SSD需求持续强劲，进一步验证了华尔街所高呼的“AI热潮仍然处于算力基础设施供不应求的早期建设阶段”。
史无前例的AI基建浪潮与存储超级周期，可谓把半导体推入了一个更“材料密集、过程控制密集、封装工艺前移”的新阶段：逻辑侧三维结构与新材料叠加、存储侧HBM堆叠与互连升级、封装侧CoWoS/混合键合把系统性能转化为制造难度——这三股力量共同提高了沉积/刻蚀/CMP/先进封装/核心量测等关键环节的价值密度，并且把半导体设备需求从“周期波动”更明显地改写为“结构性大扩张周期”。
尤其值得注意的是，先进封装正从“焊凸点时代”向“混合键合(Hybrid Bonding)时代”加速迁移：混合键合通过铜-铜直接互连进一步缩短互连长度、提升I/O密度、降低能耗，正好击中 AI 训练/推理对带宽-延迟-功耗的极致约束。应用材料不仅在官网系统阐释混合键合相对 TSV 的性能/功耗优势，还推出面向规模化的混合键合平台，并通过入股 BESI(混合键合设备龙头之一)来强化“工艺-装备协同”的产业卡位
当前全球AI算力基础设施与数据中心企业级存储芯片需求可谓持续呈现出指数级增长趋势，供给端远远跟不上需求强度，这一点从“全球芯片之王”台积电(TSM.US)近期公布的无比强劲业绩数据中就能明显看出。
台积电第四季度毛利率首破60%，净利润大超预期，预计2026年全年营收增速接近30%，并将2026年资本开支指引大幅上调至520-560亿美元，两项核心指引可谓远超市场预期，此外，台积电管理层还将与AI密切相关联的芯片代工业务的营收复合年增长率预期从原先的“40%中段”大幅提升至“50%中高段”。这家全球最大规模芯片制造巨头无比强劲的业绩与未来指引带动近期芯片股行情升温，尤其是存储芯片与半导体设备涨势最为强劲，毕竟台积电资本开支扩张基本用于购置覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积与先进封装、测试等芯片制造环节的各种高端半导体设备。
在芯片厂，应用材料(AMAT.US)的身影可谓无处不在。不同于阿斯麦始终专注于光刻领域，总部位于美国的应用材料提供的高端设备在制造芯片的几乎每一个步骤中发挥重要作用，其产品涵盖原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、快速热处理(RTP)、化学机械抛光(CMP)、晶圆刻蚀、离子注入等重要造芯环节。应用材料在晶圆Hybrid Bonding、硅通孔(Through Silicon Via)这两大chiplet先进封装环节拥有高精度制造设备和定制化解决方案，对于台积电2.5D/3D 级别先进封装步骤至关重要。
应用材料在其最新的技术解读中指出HBM制造流程相对传统DRAM额外增加约19个材料工程步骤，并声称其最先进的半导体设备覆盖其中约75%的步骤，同时也重磅发布面向先进封装/存储芯片堆叠的键合系统，因此HBM与先进封装制造设备可谓是该公司中长期的强劲增长向量，GAA(环绕栅极)/背面供电(BPD)等新芯片制造节点设备则将是驱动该公司下一轮强劲增长的核心驱动力。