高盛预测存储行业将迎史上最强上行周期，将SK海力士与三星目标价上调至135万及26万韩元。受益于AI需求及供应紧缺，预计2026年SK海力士DRAM均价同比大涨243%，ROE突破80%；三星营业利润将实现5倍以上同比增长，HBM收入预计达150亿美元。即便两司资本支出加码至40万亿及46万亿韩元，当前估值仍具吸引力。

华尔街投行高盛日前发布报告，全面上调韩国芯片巨头SK海力士与三星电子的目标价及盈利预测。高盛指出，受人工智能需求和传统存储市场供给紧缺的叠加驱动，行业正迎来史上最强的存储上行周期，这将推动两家公司在2026年实现创纪录的利润与利润率。

据追风交易台消息，高盛Giuni Lee团队将SK海力士的12个月目标价从120万韩元上调至135万韩元，将三星电子的目标价从20.5万韩元上调至26万韩元，并对两家公司重申“买入”评级。基于对DRAM和NAND闪存价格更高的预期，高盛大幅上调了两家公司2026年第一季度的营业利润预测。据彭博汇编的共识预期，高盛对SK海力士34.7万亿韩元和三星40.3万亿韩元的一季度营业利润预测，分别高出市场预期8%和6%。

这一激进的上调反映了存储市场强劲的定价动态。高盛最新的渠道调研显示，第二季度DRAM和NAND的早期定价谈判起点已显著高于数月前的预期。由于AI和服务器主导的需求吸收了市场绝大部分新增供应，即使在个人电脑和智能手机需求平淡的背景下，核心应用的存储芯片供应充足率依然处于极低水平。

强劲的基本面将直接转化为空前的财务回报。高盛预计，SK海力士今年的净资产收益率（ROE）将突破80%的历史高点，而三星电子的营业利润将实现超过5倍的同比增长。尽管高盛在模型中计入了2027年存储价格可能出现温和回调的假设，但指出两家公司当前的估值水平依然具有显著的吸引力。

存储芯片迎史上最强上行周期

高盛在此次报告中大幅上调了对传统存储芯片的价格预测。对于SK海力士，高盛预计其2026年第一季度传统DRAM价格将环比飙升88%，NAND价格环比上涨58%。基于此，SK海力士2026年全年的常规DRAM平均售价预期被上调至同比上涨243%。

三星电子方面，第一季度的DRAM和NAND价格环比涨幅预期分别达到88%和71%，全年NAND价格预计同比暴涨164%。

这种定价环境将带来史无前例的利润率水平。高盛预计，SK海力士今年的DRAM和NAND营业利润率将分别飙升至70%以上区间和40%以上区间，打破历史最高纪录。三星电子的DRAM营业利润率也将达到71%，NAND利润率达到46%，不仅创下纪录，甚至持平或超越了2017至2018年上行周期时的巅峰水平。

AI及HBM需求重塑业绩格局

除传统存储的复苏外，高频宽内存（HBM）业务的突破是另一大核心驱动力。高盛重申了对SK海力士在AI存储领域保持稳固领导地位的预期，预计其2026年全年营业利润将达到202万亿韩元，ROE从去年的44%大幅跃升至今年的81%以上。

三星电子在HBM领域的进展同样显著。得益于HBM4的行业首发与出货、在Google TPU中的稳固地位，以及在Nvidia市场份额的增加，高盛预计三星的HBM收入将在2026年实现158%的同比增长，达到150亿美元。

这一变化也直接反映在三星的客户结构中，Alphabet已取代Verizon进入其2025年前五大客户名单，显示出其产品组合正加速向服务器和AI转移。受此推动，三星2026年整体营业利润预计将达到239万亿韩元。

不过高盛也指出，持续飙升的存储元件成本将对三星智能手机业务的利润率造成明显压制，预计今年其智能手机营业利润率将降至4%的历史低点。

资本支出加码与估值吸引力

面对紧缺的供应局面，两家公司均计划进一步扩大资本支出。高盛将SK海力士和三星电子2026年的存储资本支出预测分别上调至40万亿韩元和46万亿韩元。

高盛强调，行业资本支出将高度向高利润的DRAM和HBM倾斜，且由于大部分增量资金用于基础设施准备，短期内不会有大量实质性产能释放到市场。此外，三星电子在2025年投入了创纪录的37.7万亿韩元用于研发（同比增长8%），以巩固其技术领先地位。

在估值方面，高盛认为即便计入2027年价格小幅调整的预期，两只股票依然便宜。以2027年预期数据计算，SK海力士的市盈率为4.5倍，市净率为1.7倍，ROE维持在46%；三星电子的市盈率为6.8倍，市净率为1.7倍，ROE为28%。

结合SK海力士的股票回购、分红以及潜在的ADR上市计划，以及三星电子注销近8700万股库存股的举措，高盛对两家公司的中长期前景保持高度建设性看法。高盛提示的潜在风险主要包括宏观终端需求疲软导致的存储供需恶化、技术迭代的延迟，以及三星在移动OLED市场面临的份额流失风险。