TradingKey - 美东时间3月18日（周三），美光（MU）披露了大幅超预期的财报与财测，然而盘后股价却一度下跌6%。

2026财年第二财季，美光季度销售额增长近三倍，达到239亿美元。每股收益攀升至12.20美元，大超分析师预期。彭博社数据显示，分析师此前平均预期营收为197亿美元，每股收益为9美元。

然而，美光同时披露本财年资本支出将超过250亿美元，并预告2027财年支出将在此基础上再增超过100亿美元。分析认为，此次下跌体现了市场对美光资本开支过高的担忧。

产能之争面前 美光没有退路

首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2027财年资本支出中，与建筑相关的成本将增加超过100亿美元。

美光正在爱达荷州和纽约州建设两座巨型新制造厂，以提高其在美国的存储产能，爱达荷州工厂预计将于2027年中期开始投产，纽约的工厂预计将于2028年下半年开始生产晶圆。

不只是美光，其竞争对手三星和SK海力士也在扩大产能。三星目前在建的有平泽P4厂、P5厂以及在美国德州的泰勒厂。SK海力士在建的有清州M15X厂、龙仁半导体集群，利川总部的M16工厂也在进行产能升级。

目前，美光的HBM产能仅为三星的三分之一，且截至2026年底的产能均已售罄。如不扩张产能，就无法扩大订单量，从而抢占市场。对市场份额最低的美光来说，没有保持现状的选项，在产能竞争中，不扩张就等同于把未来的订单拱手让给对手。

市场担忧：折旧压力 产能过剩

尽管如此，产能扩大带来的超预期的资本支出仍有令人担忧的一面：未来是否会压制美光的毛利率和自由现金流？美光产能规模大幅低于三星和SK海力士，其固定资产的折旧费用平摊至每个芯片上的成本更高，对毛利率的影响更大。

尤其是半导体作为周期性行业，总有一天会面临市场需求下降的问题。美光目前兴建的晶圆厂，未来都会成为资产负债表上沉重的固定资产折旧。不仅如此，相比在本地建厂的三星和SK海力士，美光在美国建厂的代价更高昂。

更严重的问题是，从全行业来看，历史上的每一次存储价格暴跌都是因为产能过剩，而本次三星、SK海力士和美光的新厂投产时间高度重合，几乎都集中在2027年左右。

当然，更乐观的想法是，目前由AI基建需求主导的内存需求，规模会更大，持续时间也更长，且迭代更新的节奏更快，这一次扩产势必不会导致供需失衡的结局，这三大巨头纷纷加码投资，正是基于对这一预期的确信。

HBM争霸赛：美光如何匹敌三星SK海力士？

聚焦于更近的未来，市场更担心的是美光在与三星和SK海力士的竞争中落后。美光近期宣布HBM4已于2026年第一季度进入量产阶段，打破了此前被排除在英伟达（NVDA）Vera Rubin供应链之外的传言。上月，首席财务官Mark Murphy表示公司已实现HBM4大规模量产后，股价一度大幅上涨。

然而，英伟达会在多大程度上依赖美光的HBM4供应却是个问题。目前，英伟达的HBM4供应商还包括SK海力士和三星，前者由于与英伟达、台积电（TSM）长期合作、深度绑定，已经稳坐英伟达首席供应商的交椅，且最先通过英伟达的验证，先前有传闻称其拿下英伟达HBM供应订单的70%。

英伟达对Vera Rubin产品线存储的采购决策，会直接影响，乃至于决定美光的HBM市场份额；若英伟达转向其竞争对手，美光将大受打击。

但从英伟达的角度来讲，之所以在供应链中同时引入HBM三大巨头，正是为了平抑SK海力士“一家独大”的趋势，打破其垄断溢价，从而获得议价权。此前，有行业传闻称，英伟达派遣工程团队驻扎美光，进行实时错误调试，从而更快通过产品验证。在英伟达急需HBM芯片的情况下，美光产品既有功耗控制优势，又能抑制竞争对手的溢价，英伟达是绝不可能抛弃美光，转向其对手的。

今年以来，美光股价已累计上涨62%，是费城半导体指数中表现最佳的成分股，还是成为美国市值最大的十家科技公司中唯一年内录得涨幅的企业。美光此次下跌也有投资者获利止盈的原因。

但从基本面情况来看，美光Q2毛利率高达74.4%，意味着该公司有强大的盈利修复能力，在HBM供不应求、订单已排至2027年的当下，美光最大的问题并不是缺订单，而是缺产能。在AI基建需求持续高涨的情况下，美光现在投资百亿扩大的产能，未来只会带来更多真金白银。

原文链接