随着行业对逻辑芯片和存储芯片的需求持续旺盛，ASML继续加大对人工智能驱动型基础设施的投资。

ASML表示，在可预见的未来，先进逻辑和存储芯片的供应仍将受到限制。

在 2026 年第一季度财报电话会议上，ASML 总裁兼首席执行官 Christophe Fouqet 强调，随着 AI 工厂规模扩大到下一个阶段，对先进逻辑和存储芯片的需求呈指数级增长，公司加大了对必要工具的投资，以加快 AI 生态系统中先进逻辑和存储芯片的生产。

客户正在积极增加产能，其背后的原因是解决包括人工智能、移动设备和个人电脑在内的终端市场面临的产能限制。

该公司公布了2026年第一季度按系统划分的销售额，其中51%的市场份额来自存储器相关终端应用系统，其余49%的销售额来自逻辑设计。EUV光刻技术仍保持领先地位，收入份额达66%，而DUV光刻机（ArF浸没式）的收入份额为23%。

韩国半导体工厂是全球最繁忙的地区，占比45%，其次是台湾（23%）和中国大陆（19%）。美国位列第四，占比12%（2026年第一季度）。ASML的大部分EUV/DUV系统供应给三星、台积电、中芯国际和英特尔。ASML目前被限制向中国大陆销售其高端EUV光刻设备，但DUV设备的销售不受限制。然而，由于美国立法者正计划禁止向中国大陆出口DUV技术，这种情况可能会发生变化。

ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouqet表示：展望未来市场，半导体行业的增长前景持续稳固，这主要得益于人工智能相关基础设施的投资。这些投资正在推动诸多领域对先进逻辑芯片和存储芯片的需求增长。在可预见的未来，需求将继续超过供应。这将对从人工智能到移动设备和个人电脑等终端市场造成供应紧张，并促使我们的客户积极扩充产能。

随着DRAM制造商向更新的工艺节点转型，存储器领域对尖端EUV和DUV光刻机的需求也在持续增长。ASML的订单量持续增加，并表示正与合作伙伴携手满足其需求，同时提供“生产力升级”方案，以在短期内优化生产效率。

内存芯片需求的增长主要来自SK海力士、三星和美光等HBM厂商，他们依赖EUV光刻技术来制造HBM3E、HBM4和HBM4E等新一代标准芯片。这些新标准对于NVIDIA和AMD即将推出的加速器至关重要，而这些加速器的需求量将非常旺盛。

ASML总裁兼首席执行官强调，除了扩大产能外，先进的DRAM和逻辑器件客户在新工艺节点上持续采用EUV和浸没式深紫外光刻技术，这进一步增加了他们对光刻技术的需求。因此，ASML的订单量持续强劲，我们与客户保持紧密联系，以满足他们的需求。同时，我们还为客户提供现有设备的产能升级方案，以满足其短期产量需求。

展望未来，ASML正致力于研发升级版低数值孔径EUV光刻机，其每小时产量至少可达330片晶圆。该系统预计将于下一个十年之初交付。ASML还发布了新款NXE:3800E PEP-E光刻机，在套刻精度相近的情况下，晶圆产量从每小时220片提升至每小时230片。

ASML表示，在技术方面，我们持续取得显著进展，并在今年二月于圣何塞举行的SPIE先进光刻和图案化会议上重点展示了多项最新成果。会上，我们发布了更新后的低数值孔径EUV产品路线图，其中体现了我们对这些产品短期和长期计划的改进。这包括在下一个十年之初实现低数值孔径EUV每小时至少330片晶圆的加工能力，这主要得益于我们持续改进光源功率，正如我们近期演示的1000瓦光源所证明的那样。

根据ASML的路线图，该公司预计将在2029-2030年推出其先进的NXE:4200G低数值孔径系统，晶圆输出能力至少为300瓦/小时。与此同时，高数值孔径EVU系统将推出EXE:5200D，提供2纳米以下级芯片（A14及以下），晶圆输出能力至少为175瓦/小时。

ASML计划到下一个十年初将其芯片产量提高50%，方法是将其设备中光源的功率提高66%。虽然这要到2030年才能实现，但该公司正致力于通过升级现有和即将推出的设备，提高晶圆产量，来解决供应紧张的问题。