消息称SK海力士38.7亿美元美国工厂动工,计划2028年投产HBM4E和HBM5

IT之家
Apr 22

IT之家 4 月 22 日消息,集邦咨询 Trendforce 今天(4 月 22 日)发布博文,报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂,投资约 38.7 亿美元(IT之家注:现汇率约合 264.57 亿元人民币),计划 2028 年下半年投产,主要生产第七代和第八代 HBM(HBM4E 和 HBM5)。

消息称该工厂主要满足 AI 算力对高带宽内存的激增需求,以生产第七代 HBM4E 和第八代 HBM5 为主。SK 海力士已于 4 月 17 日通知当地社区启动地基打桩作业,预计持续数月,2026 年下半年进入主体建筑施工阶段。

除美国扩张外,SK 海力士同步加码韩国本土产能。公司计划投资约 19 万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂(P&T7),预计 2027 年底完工。DRAM 产能扩张也在加速推进,清州 M15X 工厂将于 3 月四期洁净室启用后安装设备,龙仁半导体集群首座工厂洁净室计划 2027 年 2 月完工。

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