近日，台积电发布了其2025年的年度财报。2025年对台积电而言又是强劲的一年，以美元计价的营收同比增长35.9%，营收和每股盈余（EPS）双双创下历史新高。在全球数字化转型与AI浪潮的交织下，台积电凭借其卓越的技术实力，再次交出了一份令行业瞩目的答卷。

营收情况：营收与盈利双创新高

AI成为最核心的增长主线。台积电表示，2025年AI市场的发展继续保持非常积极的态势。Token生成量的爆发式增长，表明消费者对AI模型的采用率日益提高。企业级AI也成为新的需求来源。此外，主权AI的崛起也在持续强化对本地化、区域化算力基础设施的需求。在强劲需求带动下，台积电2025年的财务表现非常突出。

2025年，以美元计价，台积电实现营收1,224.2亿美元，净利润为552.1亿美元，分别较2024年（净利润365.2亿美元，合并营收900.8亿美元）增长35.9%和51.2%。毛利率为59.9%，而2024年为56.1%；营业利润率为50.8%，而前一年为45.7%。净利润率为45.1%，较2024年的40.5%增加了4.6个百分点。

台积电2025年晶圆总出货量为1500万片12英寸等效晶圆，而2024年为1,290万片12英寸等效晶圆。2025年≤7nm的先进技术占晶圆总收入的74%，高于2024年的69%。2026 年预计这一占比在70-80%之间。>7nm 技术占比预计在 20-30% 之间。2026年预计晶圆总出货量为 16-17 百万片 12 英寸等效晶圆。截止到2025年，台积电部署了305种不同的工艺技术，并为534位客户生产了12,682款产品。

2025年，公司占“晶圆代工2.0”产业的40%，较2024年的34%有所增长。按地理区域划分的净营收为：75%来自北美；9%来自除中国台湾和日本以外的亚太地区；9%来自中国大陆；4%来自日本；3%来自欧洲、中东及非洲。按平台划分的净营收为：58%来自高性能计算（HPC）；29%来自智能手机；5%来自物联网（IoT）；5%来自汽车。此外，1%来自数字消费电子（DCE），其余2%则来自其他细分领域。

在专利申请方面，截至 2025 年底，台积电在全球范围内累计申请专利超过 114,000 件，其中 2025 年当年申请超过 9,600 件。台积电在全球美国专利申请人中排名第 2，在台湾地区专利申请人中排名第 1。在专利获准方面，截至 2025 年底，台积电在全球累计获得近 79,000 件专利，其中获得超过 7,700 件全球专利。台积电在美国专利权人中排名第 2，在台湾地区专利权人中排名第 1。在专利质量方面，台积电美国专利申请的获准率接近 100%。

从22nm到A14，台积电逻辑制程一览

在半导体领域，台积电通过严密的工艺路线图，为全球客户提供了从成熟制程到未来尖端技术的全方位支持。

台积电正以前瞻性技术突破传统物理极限，开启埃米（Angstrom）量级的新纪元。作为下一代巅峰之作，A14 采用台积电第二代纳米片（Nanosheet）晶体管结构。它通过先进的尺寸缩放，实现了全节点的 PPA跨越，旨在解决高性能计算与 AI 对能源效率的结构性需求，计划于 2028 年量产。

2纳米（N2）技术已在2025年第四季度成功进入大批量生产，良率良好，台积电预计在2026年将实现快速爬坡。此外，台积电还推出了N2P和A16作为N2系列的延伸：A16采用了同类产品的超级电源轨（Super Power Rail, SPR），最适合具有复杂信号路由和密集供电网络的特定HPC产品；N2P在N2的基础上具有进一步的性能和功耗优势。N2P和A16的量产均计划在2026年下半年进行。

在3纳米技术方面，2025 年是 3纳米技术量产的第四年，其营收占比已达总收入的24%。其中 N3E与N3P分别进入量产的第三年和第二年，持续领跑移动通信市场；N3C 侧重于成本效益与 IP 复用，预计 2026 年量产；N3X 则专为高性能计算（HPC）定制，已于 2025 年开启量产。

凭借卓越的成熟度与性能平衡，5 纳米系列仍是市场的主力军。N4/N4P/N4C是5纳米技术的增强延伸。N4已进入量产第四年；高性能版 N4P 进入第三年；而更紧凑的 N4C已在2025年获得客户产品定案；N4X是台积电首个专注于 HPC 的极端性能平台，2025 年已进入量产第二年，代表了5纳米家族的最高时钟频率。N5P主要针对智能手机与HPC应用，目前已稳健运行五年。

台积电的成熟工艺在特殊应用领域（物联网、车载、可穿戴）依然焕发强大生命力。N6 已迈入量产第六年，广泛覆盖 DCE 与智能手机。N6e（超低功耗版）专为可穿戴设备设计，提供全面的低电压生态系统。

7纳米FinFET（N7）系列技术多年来广泛用于客户的5G和HPC产品，并于2025年进入为DCE和汽车产品量产的第五年。

N12e在2025年继续受到多种产品应用的欢迎，包括微控制器（MCU）、应用处理器（AP）、存储控制器、物联网连接以及愿景/语音AI产品。该技术服务提供更多低Vdd和超低漏电（ULL）器件方案，用于速度和功耗优化。

22纳米超低漏电（ULL）技术于2025年进入量产的第七年，已被广泛应用于多种领域，包括用于物联网的蓝牙和Wi-Fi等无线连接产品、MCU、数字电视芯片和智能手机。

特殊工艺：汽车、射频、存储、CIS与硅光子同步推进

除了先进逻辑，台积电在特殊技术方面也维持密集推进。这些技术覆盖汽车、射频、电源、显示、图像传感器、新兴存储器和硅光子等多个方向，是台积电服务更广泛客户和应用场景的重要基础。

在汽车工艺方面，N3A基于N3E，是台积电迄今最先进的汽车级工艺。台积电于 2023 年推出了 N3 Auto Early (N3AE) 计划，提供汽车级 PDK（工艺设计工具包），以支持汽车客户利用最先进的 3 纳米技术进行汽车应用设计。N3A V1.0 版本 PDK 已于 2025 年发布，该技术完成了汽车级验证，并提供了汽车设计启用平台 (ADEP)。

N4 Auto Early 计划 (N4AE)基于 N4P 平台，2025 年处于汽车级技术开发阶段，目标是在 2026 年底前完成全面的汽车工艺验证。

5 纳米 FinFET 汽车 (N5A) 技术，自 2023 年以来已收到多个客户产品定案。部分产品已完成原型制造，通过了汽车应用验证，并于 2025 年利用台积电的汽车服务包 (ASP) 成功进入大批量生产。

在射频技术方面，N4C RF作为下一代N4P RF技术正在开发中，预计2026年推出。第二代N6 RF+技术开发已完成，其V1.1版本PDK于2025年发布。12FFC+ RF技术在2025年提供了先进射频fT/fMAX拐点模型、超厚金属以及极窄宽度高电阻产品，并进入为客户4G、5G蜂窝射频和物联网无线连接产品量产的第三年。16FFC RF增强型III技术正在开发中，预计2026年推出，其前代技术已支持28/39/47GHz毫米波射频前端模块和77GHz/79GHz汽车雷达等应用。

在新兴存储器方面，16MRAM作为台积电第二代MRAM技术，于2025年通过汽车级验证，在100万次循环后实现小于1ppm的芯片失效数。N12e RRAM作为台积电第三代RRAM解决方案，于2025年通过消费级生产验证。22RRAM技术也于2025年通过10万次循环验证，适用于高耐久性产品应用。

在高压、电源和显示相关工艺方面，28纳米高压技术于2025年进入为智能手机OLED显示应用量产第二年。12英寸晶圆上的40纳米SOI技术于2025年进入大批量生产第四年。80纳米HV技术用于AR/VR设备中的硅基micro-OLED显示背板，于2025年进入大批量生产第五年，其像素密度超过3000 PPI。先进第二代40纳米BCD技术PDK已于2025年准备就绪。90纳米BCD技术收到多个定案，并于2025年进入大批量生产第二年，面向充电器、音频放大器等高数字内容产品，同时服务器应用的新持续改进计划正在进行中，PDK计划于2026年准备就绪。0.13微米BCD技术继续针对DCE和汽车市场优化。0.18微米第二代BCD技术已扩展至100V，以支持AI服务器和电动汽车的48V电源系统。

在CMOS图像传感器 (CIS) 技术方面，为客户的 CIS 产品实现了新功能。在 2025 年，台积电帮助客户扩大了针对智能手机和汽车市场的先进高动态范围 (HDR) 产品的产量。

台积电 2025 年在该领域取得了多项关键成就。在移动应用方面，公司开发了 3D-MiM（第一代）嵌入式横向溢流整合电容（LOFIC）像素，该像素已在高端智能手机中应用，表现出动态范围从 90dB 到 110dB 的显著提升。此外，新开发的第三代 3D-MiM 存储电容（较第一代提供 12 倍电容增益）通过了工艺验证，计划于 2026 年进行量产。在先进小像素开发方面，台积电在 2025 年 IEDM 上成功展示并推出了全球最小的 0.43μm 间距四光电二极管 CMOS 图像传感器，该传感器采用了 3 片晶圆堆叠和双背面深沟槽隔离（dual-BDTI）技术。与此同时，公司为先进像素开发了另一种低成本工艺方案，在传统的 2 片晶圆堆叠像素（0.6μm 间距）中使用双 BDTI，实现了 10Ke- 的满阱容量（FWC），同时在 60°C 下保持了 1e-/s 的极低暗电流。在光电探测器方面，台积电正在开发一种新型雪崩光电二极管（APD），其像素间距为 7μm，用于 AI 应用中的光学 I/O。该 APD 已满足行业要求，实现了 >2GHz 运行频率且功耗极低。此外，公司在锗/硅（Ge/Si）异构 SPAD（单光子雪崩二极管）方面取得重大进展，包括暗计数率（DCR）降低约十倍，并提高了性能均匀性。这一成就也在 2025 年 IEDM 上发表。

在硅光子方面，台积电继续开发创新的3D光子堆叠技术COUPE，即紧凑型通用光子引擎。该技术可以将硅光子芯片和电控芯片集成到单芯片光子引擎中，并与HPC芯片共同封装，提供低功耗、高速度的数据传输。2025年，台积电与多家客户共同实现了每秒200Gb的传输速度。公司还继续致力于共同封装光学解决方案，以降低数据中心数据传输功耗，目标是在2026年实现量产。

先进封装：CoWoS、SoIC与3DFabric成为AI时代关键支柱

在AI芯片系统复杂度持续提升的背景下，先进封装的重要性已经不亚于先进制程本身。台积电的3DFabric是其利用晶圆工艺实现细间距、芯片对芯片连接的技术体系，由晶圆级前端和后端技术组成。

在前端方面，TSMC-SoIC晶圆级芯片堆叠技术为3D硅片堆叠提供领先能力。其中，3纳米SoIC堆叠技术已于2025年成功进入大批量生产。

在后端方面，台积电拥有CoWoS先进封装服务和TSMC-SoW系统级晶圆技术服务。

作为领先的2.5D技术，由于自2023年以来激增的AI需求，CoWoS先进封装服务经历了强劲增长。3.5倍光罩尺寸的CoWoS-L自2024年起已投入生产，而5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L将于2026年完成验证，以满足封装内更高性能的目标。进一步开发的9.5倍光罩尺寸CoWoS-L也取得了良好进展。

与此同时，用于超高端网络交换机的CoWoS共同封装光学（CPO）正在开发中，目标是将基于中介层的CoW模块和基于COUPE的光学IO整合到单一封装中，以实现更高数据带宽并降低系统功耗。

CoWoS-R先进封装服务具有多个重布线层，以简化产品设计并支持更大尺寸HPC产品，该技术于2025年进入量产第三年。TSMC-SoW解决方案则面向下一代数据中心计算芯片实现晶圆级异构整合，具备更佳能效、更高带宽和更大芯片密度。第一代仅逻辑技术于2025年进入量产第二年，第二代技术可实现逻辑与HBM整合，目前正处于开发阶段。

此外，InFO-PoP技术通过SoC与DRAM整合实现先进智能手机应用，具有背面RDL的产品于2025年进入大批量生产。TSMC-COUPE技术服务利用TSMC-SoIC CoW堆叠解决方案整合硅光子和电控芯片，用于高速、低功耗数据传输产品，目前开发进度正常，预计2026年量产。用于倒装芯片封装的2纳米硅片细间距铜凸块技术，也已于2025年成功进入大批量生产。

光刻、掩模：为A16、A14和更先进节点铺路

2025年，台积电继续致力于光刻技术的开发。重点包括支持2纳米技术的风险生产和大批量生产，并确保稳定的工艺推进。与此同时，公司启动了台积电A16工艺技术的开发和风险生产准备，并继续开发A14及更先进的技术。光刻研发团队在提升工艺良率和性能、持续提高极紫外光（EUV）扫描仪的应用效率、减少叠加误差、减轻材料缺陷以及开发和应用新型掩模薄膜（pellicles）和基板（blanks）方面取得了进展。此外，公司开始为高数值孔径（High-NA）EUV扫描仪开发光刻技术，以支持台积电在关键先进工艺技术上的持续演进。

2025年，台积电研发团队推进了用于A14节点及更先进节点的极紫外光（EUV）掩模技术。这是通过优化EUV基板材料、增强多光束写入器分辨率以及完善掩模处理条件实现的，从而提高了曲线图形的关键尺寸均匀性、图形保真度和叠加精度。同时，通过持续开发先进的电子束检查和修复技术，减少了掩模缺陷，进一步提高了晶圆良率和生产力。未来的改进将集中在新型基板材料和制造技术的开发上。

全球产能布局情况

2025年，由台积电及其子公司管理的制造设施年产能超过了1,700万片12英寸等效晶圆。这些设施包括四座12英寸晶圆超大晶圆厂（GIGAFAB）、四座8英寸晶圆厂和一座6英寸晶圆厂——均位于台湾；此外还包括两座位于两家全资子公司的12英寸晶圆厂——台积电南京有限公司和台积电亚利桑那公司；一座位于台积电持股多数的制造子公司——日本先进半导体制造公司（JASM）的12英寸晶圆厂；以及两座位于两家全资子公司的8英寸晶圆厂——台积电华盛顿公司（TSMC Washington）和台积电中国有限公司。

2024 年台积电的年产能为 16-17 百万片，年增长率为 6%。2025 年年产能增长至 17-18 百万片，年增长率为 3%。2026 年预计年产能维持在 17-18 百万片。

台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂已于2024年第四季度成功进入大批量生产，良率良好。第二座设施的建设已经完成，目前正在安装设施系统，以生产3纳米及更先进技术，预计在2027年下半年进入大批量生产。2025年，台积电亚利桑那州开始了第三座设施的建设。同样在2025年，台积电宣布了扩大其在美国先进半导体制造投资的意向，包括计划增设三座制造厂、两座先进封装设施和一个主要的研发团队中心。

在日本，台积电位于熊本的第一座特殊技术晶圆厂于2024年底开始量产，良率非常好。并于2025年正在熊本建设的第二座晶圆厂中使用3纳米工艺技术进行生产。通过这两座晶圆厂，JASM的熊本厂区计划为汽车、工业、消费电子和HPC相关应用提供40、22/28、12/16、6/7和3纳米工艺技术。

在台湾，正在新竹和高雄科学园区筹备多期2纳米晶圆厂。未来几年，将继续在台湾多个地点投资领先工艺和先进封装设施，并强调施工现场安全。

前沿研究：低维晶体管、新型MRAM、热管理与存内计算

在更长期的技术探索上，台积电企业研究在低维晶体管探索领域保持领先。通过创新器件和材料，公司试图为极端缩小的逻辑晶体管实现更高性能和更低功耗。

台积电未来的主要研发项目

在2025年VLSI技术与电路研讨会（Symp. VLSI）上，台积电展示了一种碳纳米管（CNT）纳米片（NS）PFET，在-0.5V VDS下表现出创纪录的性能（IMAX = 0.9 mA/μm）和极低的漏电（IMIN为20 pA/μm）。此外，在2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，台积电展示了2D过渡金属二硫化物（TMD）沟道晶体管的重大进展。该研究集中在三个关键领域：增强纳米片沟道机械强度的工艺集成、利用原子层沉积（ALD）外延接触金属和磷掺杂的创新接触工程，以及优化的电介质材料。这些共同努力使载流子迁移率提升了1.6倍。

随着3D集成CMOS技术带来更高功率密度和更严峻散热问题，芯片内热耗散也成为关键课题。在 2025 年 IEDM 上，台积电展示了氮化铝（AlN）薄膜作为一种极具前景且可扩展的 3D IC 热管理材料。厚度小于 500 nm 的多晶 AlN 薄膜实现了极高的垂直平面和面内热导率，分别达到100 Wm-1K-1和30 Wm-1K-1。

台积电也在持续推进面向AI和HPC的新兴存储与存内计算技术，重点包括RRAM、MRAM、晶圆堆叠以及CIM存内计算。

其中，RRAM主要面向价格敏感的物联网市场，作为低成本嵌入式非易失性存储器方案。目前，台积电40nm、28nm和22nm RRAM节点已进入量产，12nm消费级RRAM完成技术验证，12nm汽车级验证正在进行中，6nm节点也已进入开发阶段。

MRAM则面向更高规格应用，具备高速读写、超过100万次读写循环、支持焊料回流焊以及高温数据留存能力。2025年，台积电完成16nm汽车级MRAM验证，并推出该产品；同时，公司也在开发12nm汽车级MRAM和5nm高速MRAM，以支持汽车电子、消费电子、数据中心、通信设备、工业应用和边缘AI等场景。

在更前沿的研究上，台积电于2025年IEDM展示了新型C型SOT-MRAM。该技术采用具有内置磁各向异性的圆形磁性隧道结，可在无场环境下运行，并兼具数据留存能力和性能优势。相比既有方案，C型器件实现了48%的单元尺寸缩减和25%的切换电流降低，为高性能、低成本非易失性存储器提供了新的技术路径。

与此同时，台积电也在探索存内计算架构。2025年3月，台积电在《Nature》文章中展示了一种混合精度、异构RRAM与SRAM的CIM AI边缘处理器。该成果证明，在精度损失极小的情况下，存内计算可以实现领先的计算能效。此外，在2025年ISSCC上，台积电还展示了一个16nm微缩化多模式增益单元CIM宏，这是同类产品中首个同时支持微缩化、整数和浮点格式的设计，并实现了最高的MX-MAC能效。

此外，台积电还在推进晶圆堆叠技术，为逻辑晶圆和DRAM构建异构整合平台。2025年，公司在55nm、6nm和3nm逻辑晶圆与单层存储晶圆堆叠方面取得进展，其中55nm已率先进入生产且良率稳定。未来，台积电将把WoW技术扩展到6nm、3nm等先进逻辑晶圆与多层存储晶圆的堆叠，以提升计算能力和存储带宽，满足AI芯片、数据中心、手机芯片等应用需求。

全球半导体市场继续扩张，但结构分化加剧

台积电估计，2025年全球不含存储器的半导体市场营收达到6,110亿美元，较2024年增长19%。其中，晶圆代工领域的规模（指晶圆代工2.0）估计已达到3,050亿美元，较2024年增长16%。长远来看，在AI、5G/6G、数字化转型以及大多数电子设备中半导体含量增加等大趋势的驱动下，台积电预测到2030年，全球不含存储器的半导体市场年复合增长率约为10%。

展望2026年，全球贸易冲突和保护主义依然存在，为电子设备的终端需求带来风险和不确定性。尽管如此，台积电预计AI的强劲需求将持续，而其他非AI市场预计将较为疲软。公司还预见先进节点和先进封装的需求将持续强劲。在成熟技术方面，随着库存消化后的改善，整体需求预计将有所提升，尽管产能的增加（特别是在中国大陆）将挑战包括台积电在内的非中国代工厂。

台积电围绕高性能计算、智能手机、物联网、汽车和数字消费电子这五大主要市场，构建了五个相应的技术平台。这五大平台的市场情况及2026年的预期情况如下：

高性能计算 (HPC)：2025年主要HPC单位出货量增长了9%，这受PC升级和强劲的商业需求、新游戏机机型的推出，以及最重要的一点——受AI应用（特别是生成式AI）扩散所刺激的AI服务器和数据中心的持续强劲势头所驱动。2026年，受强化的AI军备竞赛驱动，台积电预计PC出货将下降，但服务器出货将有10%出头（low teens）的增长。

智能手机：2025年智能手机市场显示出持续增长，单位出货量增长约3%。这一适度增长主要归因于全球持续的5G商业化、新兴国家日益增长的需求，以及持续的周期性换机需求。中国的补贴计划也提振了智能手机的销量。展望2026年，反映存储器短缺和价格上涨的负面影响，智能手机增长预计将出现下滑。尽管如此，长期前景依然积极，因为向5G的持续过渡，伴随着对性能提升、更长续航时间、先进生物传感器和扩展的边缘AI功能的恒定需求，将共同推动智能手机的持续增长。

物联网 (IoT)：物联网市场从低迷的2024年反弹，在2025年实现了11%的单位出货量增长。这一健康的增长势头预计将持续到2026年，并保持高个位数的增长。长期来看，随着更多AI连接和互操作功能被集成到物联网设备中，整个物联网市场预计将继续经历高单位数增长。

汽车：2025年汽车市场经历了健康的复苏，全球单位产量上升了3%。这一增长主要受到政府补贴计划以及因关税不确定性而引发的预先采购的支持。针对2026年，由于宏观经济不确定性以及补贴和拉动采购的影响减弱，台积电预计汽车单位产量将持平或略有下降，并预见环境将具有挑战性。

数字消费电子 (DCE)：2025年整体DCE市场略有收缩。持续的结构性逆风，包括不断演变的消费者行为、屏幕时间分配的转移，以及移动产品功能集成度的不断提高，抑制了对几种主要DCE产品（如机顶盒 STB 和数字静止相机 DSC）的需求。作为另一个关键DCE产品的数字电视（DTV）出货量基本持平，部分原因是受2024年下半年启动的中国补贴计划的拉动效应影响。

进入2026年，尽管世界杯和冬奥会等重大体育赛事可能会在一定程度上刺激DTV和STB的需求，但由于持续的结构性逆风和不利的存储器价格环境，预计整体DCE市场将持平或略有下降。尽管市场疲软，台积电的先进工艺技术仍将至关重要，使其客户能够开发出独特且具创新性的产品。

展望

展望2026年，宏观经济不确定性仍然存在，全球贸易冲突、保护主义和终端消费疲软都可能对部分电子设备需求造成压力。但台积电认为，AI相关需求将继续保持强劲。在领先工艺、特殊技术和先进封装技术需求支撑下，公司有信心继续跑赢行业增长。