AI算力需求的爆炸式增长，正将半导体封装材料推向一场深刻的代际变革。在摩尔定律物理极限日益逼近的背景下，以玻璃通孔（TGV）技术为核心的玻璃基板，正从实验室走向规模化量产，有望取代传统硅基与有机基板，成为下一代先进封装的主流载体。

西部证券在5月17日发布的行业深度报告中给予玻璃基板行业"超配"评级，预计2028年全球先进封装TGV市场规模将接近80亿美元，2030年渗透率提升至50%，市场规模有望进一步扩大。

英特尔、三星、台积电等全球半导体巨头已相继将玻璃基板纳入核心技术路线图。英特尔明确将其列为2026至2030年封装技术路线图的核心支柱，目标实现10倍以上互连密度提升；三星电机已于2026年4月开始向苹果供应半导体玻璃基板样品，计划2027年后量产；台积电则将玻璃基板作为CoWoS封装技术下一代迭代的核心方向。巨头的集体背书，标志着产业界已形成"从硅到玻璃"的技术共识。

传统方案触及物理极限，玻璃基板（TGV）填补空白

AI大模型训练芯片对算力基础设施的需求持续攀升，传统封装基板的固有缺陷在大尺寸、高频场景下愈发凸显。

有机基板的热膨胀系数是硅的六至七倍，当封装尺寸达到AI芯片级别时，温差引发的翘曲问题可能导致焊球开裂乃至芯片失效。与此同时，有机基板的高介电损耗使超高频信号在传输过程中严重衰减，迫使数字信号处理器超负荷运转，形成"信号劣化—功耗上升—散热恶化"的恶性循环。

台积电CoWoS封装通过引入硅中介层部分解决了上述问题，但硅中介层需占用晶圆产能与洁净室资源，一块大型硅中介层的价格超过100美元，仅中介层一项就可能占到总封装成本的一半以上，成本瓶颈制约了其大规模推广。

玻璃基板由此应运而生。玻璃的相对介电常数约为3.8，远低于硅材料的11.7；损耗因子较硅低2至3个数量级，可使信号传输速率提升3.5倍、带宽密度提高3倍、能耗降低50%。此外，玻璃具备"可调热膨胀系数"优势，通过选用特定牌号，可精准匹配硅芯片，有效控制封装翘曲。

TGV技术：从实验室到量产的关键跨越

玻璃通孔（TGV）技术的核心，在于在超薄玻璃基板上制作微米级垂直导电通孔，为芯片间构建最短的电信号传输路径。该技术概念由德国迈克尔博士于2010年首次提出，2023年由英特尔率先延伸至封装基板领域。

TGV的核心工艺壁垒集中于两个环节：一是在脆性玻璃上高质量形成高深宽比通孔，二是对通孔进行可靠的金属化填充。过去，这两个环节的良率与效率长期无法满足量产要求，使TGV停留在实验室阶段。

近年来，全球产业链的持续研发投入已打通关键瓶颈。在成孔工艺方面，国内企业沃格光电于2024年实现最小3微米孔径、150:1高深宽比的加工能力；2026年，华日激光工业级设备可实现孔径小于3微米、百万孔一致性大于95%。在金属化工艺方面，上海天承科技自主研发的电镀技术已实现孔径20至50微米通孔的完全填充且无空心。在高密度布线方面，2025年芯德半导体突破TGV超细线路再布线层，实现线宽/线距不超过2微米，满足高带宽存储器集成需求。

当前，晶圆级TGV基板成本已较传统TSV技术下降约30%。随着从晶圆级向面板级升级、良率提升至85%以上，以及产业链国产化协同推进，TGV单位成本有望进入快速下降通道，逐步从高端AI、HBM场景向消费电子、车载电子等更大规模市场渗透。

三大需求场景驱动，市场空间广阔

AI算力与HPC是TGV最大的基本盘。 台积电CoWoS-S技术对转接板的需求面积从2017年的1200平方毫米快速提升至2026年的2700平方毫米，传统硅中介层在大尺寸下良率暴跌、成本指数级上升，而玻璃基板可轻松实现大尺寸制备并保持极低翘曲度。西部证券预计，2028年全球先进封装TGV市场渗透率将达30%，市场规模接近80亿美元。

HBM高带宽存储构成第二增长曲线。 HBM4的堆叠层数已达12至16层，未来HBM6将突破24层，有机基板的热膨胀系数不匹配导致的翘曲将直接造成良率损失。三星联合Chemtronics开发71×71毫米玻璃中介层，应用于GPU与HBM互连，2028年有望量产；SK海力士在HBM4路线图中明确提及将探索采用玻璃基板技术，并计划2026年第三季度量产16层48GB HBM4器件。

光通信与CPO光电共封装是率先落地的细分场景。 1.6T/3.2T光模块的电信号速率已突破100Gbps PAM4，传统有机基板的介电损耗已无法满足需求。国内沃格光电旗下通格微的1.6T光模块玻璃基载板相关产品已完成小批量送样；京东方于BOE IPC 2024正式发布面向半导体封装的玻璃基面板级封装载板，成为大陆首家从显示面板转向先进封装的业务部门。

全球竞争格局：美欧日主导，国内加速突破

当前TGV行业呈"金字塔"竞争格局，整体处于从研发验证向规模化量产过渡的关键拐点。

海外方面，康宁凭借熔融制程专利技术，可实现TGV孔径20至100微米、纵横比10:1；英特尔采用激光改质加化学蚀刻复合工艺，通孔深径比可达100:1、最小孔径仅5微米，较行业现有水平提升30%以上；三星采用F0PLP技术，使用510×515毫米玻璃面板，通孔位置精度优于±2微米，HBM4全面采用TGV。

国内方面，产业链全链条布局已初步形成。上游材料端，戈碧迦的半导体玻璃基板产品已向国内多家知名半导体厂商送样，载板产品已通过多家厂商验证并获得订单。

中游制造端，沃格光电已具备TGV玻璃基板量产能力和年产10万平方米的智能化产线，可实现深宽比100:1、最小孔径5微米；云天半导体率先实现国内规模化量产TGV技术，深宽比突破100:1；京东方自2024年启动玻璃基板中试线项目，截至2025年6月底已实现设备进场。设备端，帝尔激光于2026年1月完成面板级玻璃基板通孔设备首批出货，打破海外厂商在该领域的技术与市场垄断。

三条路径布局

西部证券建议投资者沿三条主线布局。

主线一为全链条布局的行业龙头，优先关注具备特种玻璃基材量产能力、TGV全链条技术布局、下游客户生态完善的厂商。

主线二为核心工艺突破的设备厂商，关注在TGV通孔制备、金属化核心工艺上实现突破、已进入头部供应链的厂商。

主线三为下游应用落地的龙头厂商，关注率先布局TGV技术应用、实现产品性能升级的先进封测与光模块龙头，相关企业包括通富微电、长电科技、新易盛等。