利基存储受益于AI需求爆发与国际大厂产能转向，迎来量价齐升超级周期；东芯股份、北京君正等国产厂商加速赴港上市与产品升级，抢占国产替代窗口期。
受益于AI算力爆发、国际大厂产能向高端存储倾斜，利基存储芯片行业供需格局持续收紧，正式迈入量价齐升的红利释放期，国产替代进程同步加速。资本市场已率先反应，截至2026年6月2日，普冉股份(688766.SH)、兆易创新(603986.SH)和东芯股份(688110.SH)一年内的股价涨幅分别达到5.57倍、3.25倍和3.04倍。
从产业端来看，多家上市公司调研信息显示，2026年利基存储价格上行趋势明确，相关公司一季度业绩实现大幅增长，部分企业同步推进NAND与DRAM升级，拓展多芯片封装、AI微控制器等多元化布局。资本运作层面，东芯股份、北京君正等企业正加速推进赴港上市进程，进一步拓宽融资渠道以支撑业务扩张。
供需失衡驱动利基存储价格上行
相较于动辄数千亿美元的主流存储芯片市场，利基存储是一个“小而美”的赛道。据弗若斯特沙利文估计，2025年全球专用型存储(包括NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM等)市场规模预计为157亿美元，其中利基型DRAM为99亿美元，NOR Flash为31亿美元，SLC NAND Flash为27亿美元。尽管体量有限，这一细分市场正因AI算力需求的爆发而迎来前所未有的增长机遇。
本轮利基存储涨价的核心逻辑在于AI算力需求引发的结构性供需失衡。在DRAM端，全球存储大厂将产能大幅向DDR5、HBM等高利润产品倾斜，主动收缩利基DRAM产能，导致供应趋紧。摩根士丹利今年5月发布的研报指出，DDR4价格将延续上行趋势，2026年第三季度涨幅或达20%；2026年下半年供需缺口为19%—20%，2027年至2028年供需缺口维持在18%—20%。
在NAND领域，厂商大幅减产2D NAND，聚焦3D NAND，2D供给紧缺直接推升了SLC NAND Flash价格。TrendForce分析师指出，受三星2025年一季度宣布停产2D NAND的影响，MLC NAND价格在约一年内累计涨幅达280%，SLC NAND预计今年二季度至四季度仍有约120%的上涨空间。与此同时，端侧AI扩容拉动代码存储需求，NOR Flash供需偏紧，价格稳步抬升。
国产厂商业绩爆发
供应链管理成核心竞争力
目前，国内存储芯片设计公司主要产品均处于利基赛道。2026年第一季度，受益于存储行业供给紧缩、产品价格进一步上行，国内存储芯片设计公司业绩整体表现亮眼。
其中，兆易创新是行业内销售规模最大的公司，一季度实现营业收入41.88亿元，同比增长119.38%，归母净利润14.61亿元，同比增长522.79%；毛利率环比提升12.17个百分点至57.08%。对于后续产品价格走势，兆易创新认为，2026年供需偏紧将支撑利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash价格续涨；2027年利基DRAM新增产能落地后，价格有望在高位震荡，不排除从峰值向下适当回归，但仍将维持在较高价格区间。
不同企业的价格传导节奏存在差异。北京君正指出，其存储芯片主要面向行业市场，价格调整节奏慢于消费市场。一季度国内客户涨价较快，二三季度将有更多海外客户执行新价格，公司预测后续季度价格仍将继续上涨。
从下游应用领域来看，普冉股份认为，AI、新能源、工控、汽车四大赛道正托举存储需求，其中AI是带动增长的核心驱动力，工业领域在经历前期去库存与需求低迷后已完成阶段性筑底，汽车领域整体需求保持稳健。
由于芯片设计公司采用Fabless模式，自身并不生产芯片，晶圆厂供货持续紧张考验着企业的供应链管理能力。东芯股份采取“本土深度、全球广度”的供应链策略，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了长期稳定的战略合作关系。兆易创新则加大了采购力度，根据公司披露的2026年日常关联交易，全年预计从长鑫集团采购代工DRAM金额约57亿元，较2025年实际发生的11.8亿元大幅提升，主要源于公司自身料号演进以及行业整体供不应求背景下晶圆代工成本相应提升。
国产替代加速
从产品升级到多元化布局
和主流存储芯片产业趋势相类似，利基型存储正经历产品换代与升级的关键节点，国产厂商由此迎来份额提升的重要窗口。从2025年起，AI需求的爆发使国际头部厂商将产能大幅转向HBM、DDR5以及3D NAND等高价值产品线，平面NAND(2D NAND)出现明显供应短缺。在此背景下，国产芯片厂商在利基市场迅速打开局面。
以兆易创新为例，2026年一季度海外大厂持续缩减2D NAND产能，公司SLC NAND产品随之进入缺货涨价通道，收入环比大幅增长。公司自2025年下半年起协同供应商启动扩产，2026年产能缓慢释放，预计2027年将进一步放量。公司表示将积极把握2D NAND市场大厂退出带来的市场份额提升机遇，期待2D NAND中期成为公司新的增长引擎。
普冉股份同步强化高端存储布局，已布局16nm、32nm、41nm等多代际工艺的SLC NAND Flash产品线，产品已通过全球多家大型客户的平台验证，未来将继续通过工艺迭代完善产品矩阵，持续提升在高端消费、工业与车规SLC NAND领域的市场占有率。
值得注意的是，3D DRAM正成为利基存储高端化升级的重要方向。3D DRAM可匹配AI服务器、数据中心、端侧算力设备，满足高带宽、大容量、低时延的存力需求，未来应用场景将由服务器逐步延伸至车载电子、AI物联网领域。北京君正正在开发3D DRAM以谋求全新的产品增长机遇，不过公司在5月26日接受机构调研时表示，由于DRAM产能整体紧张，投片进度受到一定影响，目前看有所延迟。
在行业整体呈现“聚焦主业+多元拓展”的分化格局下，多家存储芯片公司开始从存储向外延伸，打造特色产品线。微控制器(MCU)是其中涉足较为集中的领域。普冉股份董事长、总经理王楠在6月1日召开的业绩说明会上对本刊表示，存储系列芯片业务重心在于发挥超低功耗和高可靠性等优势，聚焦NOR Flash和EEPROM等产品，服务消费、工业、家电及车规等领域客户。“存储+”系列芯片则基于存储技术积累，向MCU、Driver(驱动)、Sensor(传感器)等领域拓展，构建更为完善的产品矩阵，致力于为客户提供一站式解决方案，目标是从“单一品类产品供应商”向“全品类解决方案服务商”转型。公司的高端化实现路径主要包括拓展大客户和海外客户，向高端工业、白电、人机交互和车规领域突破，提升产品在芯片尺寸、功耗控制、读取速度等核心指标上的性能；同时通过收购SHM补全产品线，进入高端客户群及高端赛道。
AI赋能正在成为MCU升级的主线。AI-MCU通过结合实时控制逻辑与设备端AI推理，保留了传统MCU的精准硬件控制与超低功耗优势，同时通过集成NPU大幅提升AI算法处理能力。北京君正的AI-MCU产品适用于智能家居、工业控制、医疗等领域；兆易创新则计划推出集成NPU的AI-MCU产品，主要面向自动化、数字能源、AIoT等下游客户。
资本赋能
东芯股份北京君正冲刺H股
借力利基存储行业景气窗口期，国内头部存储企业正加速推进H股上市，依托资本市场扩充实力、夯实全球化布局。在兆易创新于2026年初先行登陆H股之后，东芯股份自5月23日开始筹划赴港上市，北京君正则于5月26日二次向港交所提交申请资料，三家国内存储龙头的“港股集结”态势已然形成。
利基存储凭借高可靠性与定制化优势，在车规级、工业控制、航空航天等特种场景中具备不可替代性，成为企业差异化竞争的核心抓手。东芯股份在NOR Flash与DRAM领域坚持差异化竞争策略，NOR Flash产品制程达到48nm，结合MCP技术提供高集成度、小型化的存储解决方案。北京君正在H股申请资料中表示，公司在2D NAND领域已有所积累，在3D NAND领域，eMMC、UFS等产品方案已可满足汽车座舱与智驾场景的需求，后续将开发3D NAND产品，致力于成为汽车电子与工业存储芯片的核心提供商。
部分企业并未止步于传统存储芯片，而是向计算芯片延伸，打造第二增长曲线。东芯股份通过战略投资切入高性能GPU赛道，于2024年以自有资金2亿元战略投资上海砺算，2025年追加投资约2.11亿元。公司在5月12日的业绩说明会上表示，砺算科技首款自研GPU芯片7G100已于2025年完成首次流片并实现少量显卡的客户交付，目前量产及市场拓展工作正在有序推进中。
市场普遍判断，这是一轮持续2—3年的“超级周期”，供需紧张格局至少延续至2027年。花旗预计2026年DRAM平均售价同比增速预期从此前的增长53%大幅上调至增长88%。对于国产厂商而言，国际大厂“弃低追高”的战略倾斜，恰为国内利基存储企业提供了宝贵的市场窗口期。随着兆易创新、北京君正、东芯股份等设计企业在利基赛道持续深耕，国产存储芯片的自主可控能力有望进一步提升，在全球存储市场中占据更重要的位置。
(本文已刊发于6月6日出版的《证券市场周刊》。文中提及个股仅为举例分析，不作投资建议。)