韩国政府宣布在西南地区新建存储芯片集群，叠加三星电子披露的2450万亿韩元国内长期投资计划，韩国半导体产业正迎来数十年来规模最大的扩张蓝图。

6月29日至30日，追风交易台消息，美银证券分析师Simon Woo团队以及高盛Giuni Lee团队，相继就韩国大规模存储器投资计划发布研究报告。

两家机构的核心判断高度一致，韩国政府及三星电子的巨额投资承诺，彰显出政府对长期存储供给扩张的强力背书。

但受制于基础设施建设周期与晶圆厂投产节奏，对全球存储器供给的实质性影响最早需要8至10年才能显现，投资者不应对近期供给冲击抱有过高预期。

韩国政府宣布，将在国家西南地区打造全新存储器晶圆厂集群，芯片制造商预计总资本支出约为800万亿韩元。

政府将提供土地、电力及水利等基础设施支持，但美银证券预计，仅基础设施建设阶段就至少需要5年时间。

在此基础上，新晶圆厂外壳建设加上初始产能爬坡与试生产，还需额外3至4年。综合来看，新集群实现有意义的量产输出，预计最快也要在8至10年之后。

值得注意的是，目前韩国现有的存储晶圆厂主要集中于首尔都市圈周边，包括平泽、龙仁、华城和利川等地，而此次政府规划的西南集群与首尔距离较远，所需基础设施投入量级更大，建设难度显著提升。

美银证券将其类比为台积电在中国台南布局的分散策略，指出这种远离核心区域的产能扩张需要更漫长的前置准备期。

韩国存储芯片厂商重申了到2030年将DRAM晶圆产能近乎翻倍的计划，表面上看扩张幅度可观，但这仅对应约15%的年均复合增长率（CAGR）。

然而，美银证券进一步指出，若将旧厂关闭和新一代存储芯片更长制造周期两个因素纳入考量，实际运行晶圆产能的扩张速度每年将低于10%，整体净晶圆增长率到2030年仅为个位数百分比复合增长率。

即便龙仁和平泽的新晶圆厂外壳建设有所提速，在分析师看来也不太可能推动存储产出在近期出现显著增长。

对于存储股投资者而言，这意味着近期供需平衡的改变更多依赖于需求端变量。

高盛就三星电子2026年6月29日发布的重大公告展开分析。

三星宣布，未来15年（2026—2040年）将在国内投入共计2450万亿韩元，其中约2100万亿韩元用于半导体领域，占总投资额的76%。具体拆分来看：

• 1650万亿韩元用于现有晶圆厂及在建项目，其中包括将龙仁6号厂的完工时间从2047年提前至2040年；
• 400万亿韩元用于位于光州的2座新晶圆厂，这是西南半导体集群项目的重要组成部分；
• 56万亿韩元用于在忠清道现有封装厂附近新建HBM晶圆厂；
• 非存储业务方面，三星显示获67万亿韩元，用于在忠清道建设新生产基地，专注于下一代智能手机面板及高分辨率微显示产品；
• 在龟尾市，三星还将建立智能手机工厂和人形机器人生产线。

高盛认为此次公告隐含的资本支出增长节奏属于合理范围。具体推演逻辑如下：

若假设三星国内资本支出与研发合计约占合并口径总额的80%（与公司2022年公告中的比例一致），并假设2029年至2040年每年增长约6%，则2026至2040年累计国内支出约为2500万亿韩元，略高于官方公布的2450万亿韩元数字。

这意味着，在高盛对三星2026—2028年国内外合并口径资本支出加研发预测（分别为125万亿、140万亿和151万亿韩元）的基础上，今日公告隐含的2029—2040年支出增速约为5%至6%，高盛认为并不激进。

另一方面，高盛也提示，此次公告仅涵盖国内投资，若未来叠加海外资本支出，对现有预测的上调空间或不容忽视。

过去5年，三星将约90%的资本支出集中于半导体，而本次公告隐含的半导体资本支出集中度为76%，意味着资源配置较近年有所分散。

综合两份机构分析，对投资者的核心启示可归纳为以下几点：

其一，供给冲击为中长期事件。8至10年的建设投产周期决定了此次投资不会在近期改变存储市场供需格局，短期内无需担忧大规模新增供给对存储价格造成压制。

其二，政策信号价值大于短期财务意义。龙仁、平泽新厂建设提速以及西南新集群的正式确认，传递出韩国政府强力支持本国存储产业长期扩张的明确意图，有助于稳固市场对韩系存储企业长期竞争力的信心。

其三，三星估值仍具吸引力。高盛对三星电子维持买入评级，普通股12个月目标价为48万韩元，优先股目标价为36万韩元，对应当前普通股价格（32.3万韩元）的潜在涨幅约为48.6%。

高盛的投资逻辑建立在存储定价持续强劲、HBM业务取得实质进展，以及更积极的股东回报预期之上。

其四，细节存在不确定性。三星本次未披露2450万亿韩元的投资是否包含研发支出，亦未公布新光州晶圆厂的具体产能规划，15年计划随市场环境变化被调整的概率较高，投资者应动态跟踪后续资本支出指引。

总体而言，此次韩国存储投资计划的战略意义显著大于短期业绩催化意义，这是一场面向2030年代的长跑。