韩国政府主导的大规模存储芯片产业集群建设计划引发市场对存储周期见顶的担忧，但美银分析师认为，这一担忧明显过度，当前存储行业基本面依然强劲。

韩国政府计划在该国西南部地区（如光州）斥资800万亿韩元建设新的存储芯片制造集群，部分投资者将此解读为存储上行周期即将终结的信号。然而，据追风交易台，美银证券分析师Simon Woo团队最新研报明确指出，该集群预计在2033年前不会形成有意义的芯片产能，属于聚焦龙仁/平泽产业集群扩张（2026至2035年）之后的长期规划，对近中期供需格局影响有限。

与此同时，存储芯片现货及合约价格持续走强，韩国6月半导体出口额跃升至448亿美元，环比大涨21%，同比增幅高达199%，已连续六个月实现三位数同比增长。

TrendForce亦将三季度DRAM均价涨幅预测从此前的3%至8%大幅上调至13%至18%。上述数据表明，存储行业当前仍处于量价齐升的强势通道之中，周期见顶的论断缺乏数据支撑。

建厂计划产能落地遥远，近忧不必过度解读

韩国政府主导的800万亿韩元存储产业集群建设计划是本轮市场担忧的直接导火索。然而，美银证券分析师强调，该计划属于超长期战略布局，在2033年之前预计不会产生实质性的芯片产量。

从时间线来看，韩国存储产业的近期扩张重心仍集中于龙仁和平泽的现有产业集群，规划周期为2026年至2035年。

西南部新集群的建设属于后续阶段，其对全球存储供给格局的影响至少要到本轮周期结束后才会显现。美银证券因此认为，目前尚未看到任何由资本开支驱动的存储周期见顶迹象，企业级芯片需求（包括HBM、SOCAMM、企业级SSD等）依然强劲且多元化。

价格与出口数据印证周期上行势头未变

现货及合约价格走势为存储行业的强劲基本面提供了有力佐证。

据DRAMeXchange数据，16Gb DDR5现货价格在7月初升至47美元的历史新高，较2017年10月约10美元的前期峰值高出逾三倍；16Gb DDR4现货价格亦维持在75美元附近的周期高位，较2025年10月约3美元的低点累计涨幅约达2000%。

NAND方面，512Gb晶圆合约价格目前约为25美元，较2025年2月底部的2.5美元高出约10倍。尽管NAND现货价格在4月至6月间涨势趋缓，但仍较年初累计上涨逾50%。

韩国出口数据同样印证了这一趋势。6月韩国半导体出口额达448亿美元，是2025年月均约140亿美元的三倍以上，同比增速连续六个月保持三位数增长。TrendForce最新预测显示，三季度DRAM均价涨幅预期已被大幅上调，NAND四季度涨幅预期亦从此前的8%至13%上调至10%至15%。美银证券自身预测则显示，DRAM均价在二至四季度将分别环比增长53%、17%和7%，NAND对应涨幅为65%、13%和1%。

超大规模云厂商资本开支持续扩张，需求端无虞

需求端来看，美银证券预计亚马逊、微软、Alphabet和Meta四大美国超大规模云厂商2026年合计资本开支将同比增长约80%，达到约7000亿美元，2027至2028年有望逼近1万亿美元。上述公司2026至2028年整体营收预计保持15%至20%的年增速，云业务收入增速维持在35%至40%，AWS运营利润率在35%以上，Azure则超过40%。

存储芯片制造商普遍认为，Meta将持续加大对HBM、LPDDR5及企业级SSD等高端存储产品的采购力度，用于AI数据中心建设。部分AI供应链企业（如NAND控制器IC供应商、基板材料制造商等）亦反映，Meta的长期芯片及元器件订单正在持续增强。此前市场流传的"Meta将出租过剩AI服务器"的说法，被芯片制造商认为缺乏依据。

产业链对供需前景普遍乐观

美银证券分析师本周赴日本与当地投资者及NAND供应链企业进行交流，调研结果整体偏向乐观。

企业管理层普遍给出较为积极的业绩指引，主要包括：二季度均价（尤其是NAND）表现超预期；三、四季度均价仍将延续环比上涨趋势；2027年DRAM和NAND均存在供应短缺风险；长期协议（LTA）签订规模持续扩大（但仍以数量为主导）；日本NAND厂商资本开支及产量管控保持克制。

日本投资者整体对存储行业持看多立场，但也频繁询问当前强劲增长背景下潜在下行风险的问题，反映出市场对周期持续性的关注。

三星二季度业绩或略低于预期，存储业务仍具亮点

三星电子二季度初步营业利润（预计7月7日公布）可能因特别奖金（含一季度部分）及智能手机业务利润率承压，略低于市场普遍预期。

不过，美银证券指出，若单独计算存储业务，受均价超预期表现支撑，存储部门营业利润有望超出市场预期，这与韩国强劲的半导体出口数据相互印证。