金吾财讯 | 美股存储板块高开低走，Rambus（RMBS）跌1.30%，美光科技（MU）跌3.19%，希捷科技（STX）跌3.92%，西部数据（WDC）跌4.78%，SK海力士（SKHY）跌5.42%，慧荣科技（SIMO）跌6.59%，闪迪（SNDK）跌8.11%。

消息面上，国内头部DRAM厂商长鑫存储(CXMT)完成86亿美元规模上海IPO，上市首日涨幅达466%，资本市场对国产存储产业化高度认可。本次上市为国内存储赛道带来大额融资支撑，产能扩张与技术迭代节奏提速，直接冲击以美光科技(MU)、闪迪(SNDK)、西部数据(WDC)为代表的美国存储上市公司中长期市场份额与定价能力，彻底改写全球通用存储芯片的寡头竞争格局。Counterpoint Research行业分析显示，高端HBM赛道技术壁垒极高，美韩头部厂商短期垄断格局稳固，国产厂商预计2027年上半年才可实现HBM3量产，届时海外企业已迭代至HBM4产品，仍保有一代技术优势。但通用型DRAM、NAND赛道技术门槛偏低、产品标准化程度高，核心竞争壁垒集中在资本投入与产能规模，恰好是长鑫存储突破的核心领域。过去一年全球存储芯片价格涨幅接近四倍，消费端智能手机、PC、家电等领域供需缺口显著，本轮涨价红利窗口期，与长鑫新增产能投放周期高度重合，直接挤压美国存储企业的传统优势市场。相较于技术壁垒深厚的高端AI存储，美国传统存储厂商的核心营收与利润来源集中在通用NAND、DRAM产品，市场竞争高度依赖价格与产能优势。随着长鑫存储依托上市融资快速扩产，国产通用存储供给持续释放，将有效缓解全球消费级存储供需紧张局面，逐步削弱美股存储企业的议价权与涨价收益空间，行业价格中枢有望逐步回落。整体来看，美股存储板块短期享受行业涨价红利，但中长期将持续承受国产产能替代带来的份额与盈利压力，行业竞争格局迎来结构性反转。