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英伟达Feynman直上CPO、A16 台积电加速助攻2028放量

格隆汇
Aug 14
据DigiTimes，Vera Rubin进入量产及爬坡期，但英伟达重大迭代已提前启动。供应链传出，NVIDIA正将研发与供应链资源，快速推向2028年下半年的Feynman世代，牵动台积电先进技术升级，全球设备材料供应链可望再迎新单荣景。 Rubin以多颗小芯片(Chiplet)与高带宽内存(HBM)整合为主，Feynman将朝3D小芯片、SoIC及共同封装光学(CPO)发展。 对台积电而言，NVIDIA缩短产品迭代周期，同步推升先进制程与封装扩产压力。供应链指出，台积电目前正加速嘉义AP7、南科AP8建置，SoIC、CoWoS-L，下世代CoPoS均提前布局，厂务、无尘室及设备进机作业持续“抢进度”。 业界指出，Feynman平台预计“直上”台积2纳米升级版的A16制程，并提高SoIC 3D堆叠技术导入，再搭配客制化HBM及CPO。NVIDIA已是台积先进制程与封装最大客户，NVIDIA产品架构快速演进，也直接牵动台积先进技术推进与扩产。供应链表示，台积SoIC可将从SoC切分出的小芯片重整，支援Chip-on-Wafer（CoW）及Wafer-on-Wafer（WoW），透过晶粒垂直堆叠，缩短讯号传输距离，提高频宽并降低延迟与功耗。 台积SoIC月产能2023年以来续增，原规划2026年建立约1万至1.5万片月产能，2026年底达2万片；受到NVIDIA、AMD等需求及Feynman量产时程推动，最新规划进一步上修，预计2027年底月产能将达5万片。

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