TradingKey - 过去一周，存储芯片板块再度成为美股焦点。美东时间8月13日，闪迪（SNDK）投资者日释放长期利好，当日股价大涨13.67%；SK海力士ADR（SKHY）涨7.3%，美光科技（MU）、西部数据（WDC）、希捷（STX）同步跟涨。

从周涨幅来看，涨势更为可观。过去一周（8月10日至14日），闪迪累计上涨35.38%，SK海力士ADR涨20.61%，美光科技涨10.72%。存储板块整体表现远超大盘，同期纳斯达克仅微涨0.14%。

Roundhill Memory ETF（DRAM）自7月24日低点反弹约30%，存储行情热度正高，而对投资者来说，现在追涨这只4月才成立的ETF，还划算吗？

【来源：TradingView】

DRAM ETF是什么？

2026年4月2日，Roundhill Investments推出全球首只纯内存主题ETF，填补了芯片细分领域的空白。与宽泛的半导体ETF不同，DRAM ETF设定了严苛的选股门槛：公司存储业务收入占比须超过50%，从而避免被芯片设计、设备制造等非核心业务稀释持仓纯度。该产品采用主动管理策略，管理费率为0.65%，每季度调仓一次。

该ETF持仓高度集中，截至2026年8月16日，前三大重仓股美光科技（25.42%）、三星电子（25.4%）、SK海力士（20.44%）合计占比超七成。其余成分股依次为希捷、闪迪、CXMT、西部数据、铠侠、南亚科及华邦电。

【来源：Roundhill Investments】

支撑DRAM上涨的因素是什么？

本轮反弹的基础是真实的供需缺口，而非题材炒作。美光CEO Sanjay Mehrotra公开表示，目前只能满足部分关键客户50%至三分之二的需求，他将此称为“有史以来最大的供需缺口”。

价格端是供需缺口最直接的印证。DDR5（16Gb）现货价自2025年11月至2026年6月底上涨超4倍；据TrendForce数据显示，一般型DRAM合约价2026年第一季度环比涨93%至98%，第二季度续涨53%至58%。

更关键的是，HBM单颗粒消耗的晶圆资源是标准DDR5的3至4倍，持续挤占通用DRAM产能。

部分厂商已给出极其乐观的盈利预期，闪迪在投资者日指出，预计2028至2030财年非GAAP毛利率维持在约80%的水平。此外，公司明确表示，未来三年完成业务投资后，将把100%剩余现金回馈股东。

估值方面，闪迪当前市盈率约19.51倍，看似温和，但低PE的背后是盈利增速远超股价涨幅，美光2026财年第三季度营收同比增长345.7%，闪迪第四财季同比增长372%。当盈利以如此速度扩张，静态市盈率已系统性滞后于基本面。

DRAM ETF值得注意的风险有哪些？

集中度是首要风险。截至2026年8月16日，DRAM ETF前三大持仓为三星电子、美光、SK海力士，合计超70%。存储逻辑一旦逆转，净值回撤会同样剧烈。此外，三星与SK海力士合计占近半权重，基金还承担韩元汇率敞口。

周期分歧同样不容忽视。高盛（GS）预计供需紧张持续至2028年，交银国际判断至少到2027年第四季度；但摩根士丹利（MS）预计DRAM合约价同比增速在2026年四季度见顶。增速见顶不等于价格下跌，但市场通常会提前反映预期变化。

此外，ETF波动本身也是不可忽视的因素，该ETF自6月22日触及81.34美元后，至7月下旬最大回撤接近35%。管理团队8月初的调仓也释放了谨慎信号：纳入长鑫科技的同时，连续三个交易日减持三星电子约300万股，套现约4.32亿美元。

现在该不该买DRAM ETF？

对熟悉存储产业节奏、能承受大幅波动的交易型投资者来说，DRAM ETF仍是高弹性的优先选择。核心逻辑在于AI产能挤占是结构性的，2027年产能售罄提供了盈利底线。更稳妥的做法是分批建仓，而非一次性追入。此外，美光2026财年第四季度财报披露在即，业绩是否符合预期将直接影响短期方向。

对追求长期稳健配置的投资者，眼下未必是最佳买点。该ETF自7月低点已反弹约30%，短期催化已被市场部分消化；摩根士丹利的增速见顶预警与高盛的2028年看多同时存在，说明后续波动不会小。

存储超级周期的中长期逻辑大概率尚未结束，但"周期未结束"和"此刻买入合理"之间，还隔着一个买入价格的问题。DRAM ETF本质上是个工具，价值主要取决于使用者的节奏和风险承受能力。

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