8月24日，过去一年，存储芯片股上演了一轮波澜壮阔的涨势，背后是芯片价格飙升、毛利率大幅扩张以及自由现金流井喷的强劲支撑。受此推动，美光科技(MU.US)、闪迪(SNDK.US)以及SK海力士(在赴美IPO之前)的股价年内呈现抛物线式上涨。过去一年间，美光累计涨幅超过700%，而闪迪同期更是飙升了令人难以置信的3400%;SK海力士在韩国上市的股票也录得600%的涨幅。尽管7月遭遇暴跌，但步入8月存储行情再度反弹，市场对此仍疑虑重重，存储超级周期还能延续多久。

本轮存储超级周期，直接源于人工智能基础设施的大规模建设，由此引发供需严重错配。存储市场主要分为DRAM(动态随机存取存储器，用于极短期数据存储)和NAND闪存(可较长时间保存数据)两大品类，二者在AI相关需求上都经历了爆发式增长。

当前市场最大的驱动力当属高带宽内存(HBM)，该技术与GPU及其他AI芯片封装在一起，旨在降低延迟和功耗。HBM已成为整个AI产业链中最为关键的瓶颈之一，因此，SK海力士、三星与美光这三大DRAM巨头正将绝大部分资源投入以追赶需求，这反过来又导致整个DRAM市场供给趋紧，价格水涨船高。

与此同时，闪存则广泛应用于企业级大容量固态硬盘(SSD)中，用于存储训练数据。由于三大存储厂商在疫情后NAND市场崩盘后，曾一度减产并将资源转向DRAM，如今又全力押注HBM，闪存同样面临供应受限的局面。此前，居家令曾带动电子消费品(闪存大户)需求阶段性透支，但随着限制解除，该市场迅速降温。

历史规律预示市场终将崩盘，但这次似乎确有不同。从历史经验看，存储芯片股终究难逃周期轮回——繁荣期通常伴随着供给扩张，最终供过于求，价格回落。然而，本轮周期确实呈现出若干异乎寻常的特征。

首先，AI基础设施需求仍在持续攀升，毫无放缓迹象。其次，存储制造商，尤其是深耕HBM的企业，产能捉襟见肘，多重因素将继续制约供给增长，包括：制造HBM和先进逻辑芯片(如GPU)所必需的极紫外(EUV)光刻设备产能扩张受限;HBM所需晶圆产能是普通DRAM的三倍以上;以及新建洁净室所需的漫长前置时间。最后，所有存储厂商——包括纯闪存企业闪迪在内——均史无前例地锁定了长期供应合同。

综合来看，DRAM和NAND两大存储周期的上行轨道仍遥望可见，而当前股票估值尚未充分反映这一前景，存储芯片制造商有望继续成为AI赛道中的核心持仓标的。