TradingKey - 美东时间9月17日，在美联储宣布加息的次日，美光（MU）强势上涨超5%，股价重返980美元。

美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，该公司位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装与测试工厂已开始商业化生产，以满足人工智能(AI)推动的存储芯片需求增长。

萨南德工厂将来自美光科技全球制造网络的先进DRAM和NAND晶圆加工成成品内存和存储产品。美光科技在一份声明中表示，该工厂预计将在2026年将封装和测试数千万颗芯片，并在2027年将产能提升至数亿颗。

花旗的最新研报中指出，随着AI从单纯的训练与推理阶段迈入"持续学习"时代，HBM、服务器DDR5及企业级固态硬盘（eSSD）的需求将从2027年起同步爆发性增长。

在需求急速攀升的同时，供给端受制于HBM产能占用和技术迁移放缓，扩产步伐远落后于需求。花旗据此预计，2027年全球内存资本支出将同比大增46.5%至804亿美元，但受制于产能建设的漫长交期，即便大规模投资也难以填补供需缺口。

同时花旗预测2027年全球内存资本支出（DRAM+NAND）将同比大增46.5%至804亿美元，较2026年的549亿美元显著加速。DRAM资本支出预计同比增长51.6%至586亿美元，由三星电子（206亿美元）、SK海力士（175亿美元）和美光（158亿美元）领衔。但花旗强调，增量DRAM投资中相当大比例仍将流向HBM产能和先进DRAM制程，对通用DRAM供给的实际缓解效果有限。

花旗指出，尽管资本支出规模大幅跃升，但鉴于绿地投资产能扩建的漫长交期，更高的支出水平不足以弥合2027年的供需缺口。以此为基础，花旗对全球内存供需失衡局面的判断延伸至2031年，并认为持续学习与个人AI/实体AI的规模化落地将成为这一超长期结构性供给短缺的核心支撑。

美光两小时K线图，来源：TradingView

美光股价自阶段低点（737.88美元）附近止跌后震荡修复，9月初一度上探至1,040美元附近，随后回落到940—955美元均线密集区。最新价格突破短、中、长期均线：5日均线（944.38美元）、10日均线（940.57美元）、20日均线（947.79美元）、80日均线（954.83美元）、160日均线（951.71美元）。

现价同时位于0.382斐波那契回撤位（935.35美元）上方，但仍低于0.5斐波那契回撤位（996.35美元）。短线属于急跌后的强势反抽，尚未确认重新打开1,057.35美元上方空间。

均线方面，五条均线高度收敛在940.57—954.83美元，属于压缩后的方向选择区，而不是已经打开的多头发散。最新股价虽然重新站上全部均线，但5日均线和10日均线仍低于80日均线与160日均线，说明短线买盘刚刚夺回均线密集区，趋势强度仍需关键位置确认。

当前最关键的上方确认位是0.5斐波那契回撤位（996.35美元）。该位置在9月初被上破后得而复失，已经由支撑转为压力。若后续2小时K线能够连续收于996.35美元上方，并在回踩时守住，反弹才有条件重新指向0.618斐波那契回撤位（1,057.35美元）。

支撑方面，80日均线（954.83美元）与0.382斐波那契回撤位（935.35美元）构成的共振区是当前的重点观察区间。只要该区域能够守住，本次回落更适合定义为强势整理后的再启动尝试；若935.35美元失守，则短线反抽失败的概率上升。

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