金吾财讯 | 美股存储芯片股盘中跌幅扩大，截至发稿，闪迪（SNDK）跌6.53%，慧荣科技（SIMO）跌6.26%，Rambus（RMBS）跌4.61%，美光科技（MU）跌4.04%，SK海力士（SKHY）跌4.01%，希捷科技（STX）跌2.94%，西部数据（WDC）跌2.05%。消息面上，据证券日报日前报道，长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了其在DRAM（动态随机存取存储器）器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计年底将推出融合先进技术的新一代DDR（双倍速率同步动态随机存储器）5 RDIMM（寄存式双列直插内存模组）产品。其中，该公司提到，4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。业内分析指出，4F²新型存储架构也是三星电子、SK海力士及美光科技等国际巨头重点布局的前沿领域，长鑫科技的技术突破表明，中国本土存储厂商正通过自主技术路线演进，逐步缩小与国际主流厂商的差距，且随着长鑫科技在高端服务器DRAM及先进架构上的布局落地，或将加剧全球存储行业竞争。

其他消息面上，周一韩国存储双雄SK海力士、三星电子于韩股市场全天承压，负面情绪进一步传导至美股市场。市场分析认为，外资大抛售可能是杀跌的重要原因。韩国交易所数据显示，截至10月7日，外资持有三星电子股份的比例降至46.37%，为2009年7月16日以来最低，约17年新低。外资持有SK海力士的比例为49.59%，自上月底跌破50%后，已连续8个交易日徘徊在49%区间。此外，摩根士丹利最新发布的《存储芯片：传统周期与超级周期之辨》研究报告显示，全球范围内史无前例的AI热潮正在创造需求更强、持续时间更长的存储芯片超级周期，但供给扩张、价格变化及盈利波动的无可避免传统繁荣—衰退周期规律依然存在。