美光股价冲击历史高点失败

TradingKey - 2026年二季度，HBM3e 产能售罄与 AI 服务器需求爆发，驱动美光 (MU) 股价持续飙升，并于6月底冲至1,255美元，创下历史新高。7月，美光股价出现剧烈洗盘，股价一度深幅回调至737美元。 

美光股价图表，来源：TradingView

8月，美光股价逐渐反弹走强，于10月初冲至1100美元附近，但是并不能企稳该位置，随后持续回落，相继跌破1000美元、900美元等重要关口，意味着冲击历史高点失败。

美光股价为何下跌？

美光这次冲击历史新高失败，主要受到宏观通胀数据突袭、板块连带去杠杆、同业竞争情绪扰动的三重夹击。 10月初，美光突破 1,000 美元之后，衍生品市场堆叠了庞大的看涨期权。在大盘与半导体龙头连带回调下，引发了高位多头杠杆连锁清算。

10月10日，中国存储大厂长鑫存储（CXMT）宣布在 4F² DRAM 结构技术上的突破，引发了市场对未来中低端 DRAM 市场供需结构与竞争加剧的短期担忧，促使部分机构资金从存储板块中回笼现金，美光股价进一步遭到打击。

10月14日，美国公布的9 月 CPI 数据超出预期，原油与汽油涨幅大幅抬高标题通胀。美联储（Fed）货币政策预期转向紧缩或延后降息，导致美债收益率跳升，率先打压了高估值半导体板块，美光作为高 Beta 芯片股首当其冲遭遇量化资金程序化抛售，股价再次跌破900美元。

美光股价还能重返历史高点？

美光科技冲刺历史高点失败并且股价持续回落，并非公司基本面转坏或 AI 存储器周期结束，而是典型的宏观 CPI 通胀数据突袭与科技板块整体去杠杆引发的阶段性洗盘。这也意味着，只要 10 月下旬至 11 月宏观通胀情绪逐步消化、美债收益率回稳，极低的估值将吸引庞大的机构价值买盘重新进场，美光股价年底重返历史高点的概率仍然较大。

美光作为英伟达次世代 AI 架构的核心存储器供应商，其 2026 年与 2027 年的 HBM 产能早已被全球科技巨头抢购一空。此外，HBM 的产品毛利率显著高于传统 DRAM，将持续推动美光未来数个季度的营收与每股收益（EPS）维持爆炸性增长。目前，美光的前瞻市盈率（P/E）已修复至约 12.3 倍的极低水平，相较于其高达 70%+ 的年度 EPS 爆发力意味着当前股价已被市场显著低估，存在上涨的需求。

美光股价技术分析：守住740美元是关键

在经历了 10 月初美国 CPI 超预期升温、半导体板块高位去杠杆以及跌破 900 美元关口后，美光的技术形态正处于高位宽幅震荡的极限回测阶段。 回顾美光 2026 年的波段走势可以看出，740 美元是冲击历史高点之后回撤的最低点，而且正好落于 61.8% 关键支撑区域，此位置通常是极限洗盘的终点。

美光股价图表，来源：TradingView

一旦美光在日 K 线收盘价实质跌破前低740 美元，将宣告自 6 月以来的高位巨幅箱体整理结构失效，恐引发长线机构资金与程序化交易的次级避险抛售，下探 650–680 美元的下一个次级支撑。

原文链接